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Image Mfr.Part# Manufacturer Description MOQ/MPQ/PKG Priceing Quantity
AP18P10GJ-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP18P10GJ-VB|^|台积电流片，长电封测。TO251；P沟道；VDS=-100V；ID =-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=-2V；具有多种特性和应用领域，包括电源管理、汽车电子和家用电器控制等
  • MOQ : 15
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 417원
  • 100개 ~ 386원
  • 500개 ~ 355원
  • 4,000개 ~ 340원
AP2313N-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP2313N-VB|^|台积电流片，长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；-0.81Vth(V) 封装：\'SOT23-3 一款单P型MOSFET，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、
  • MOQ : 115
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 115개 ~ 50원
  • 300개 ~ 46원
  • 500개 ~ 44원
  • 3,000개 ~ 43원
ELM34407AA-N-VB 		VBSEMI/微碧半导体 ELM34407AA-N-VB|^|台积电流片，长电封测。 P沟道,-30V,-11A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.42Vth(V) 封装：SOP8适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电
  • MOQ : 20
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 346원
  • 100개 ~ 320원
  • 500개 ~ 307원
  • 4,000개 ~ 295원
AP4410GM-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP4410GM-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.8~2.5Vth(V) 封装：SOP8 适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
  • MOQ : 25
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 25개 ~ 250원
  • 100개 ~ 232원
  • 500개 ~ 222원
  • 4,000개 ~ 213원
HM30N10-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HM30N10-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V) 封装：TO220 具有高性能和可靠性，适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 605원
  • 100개 ~ 561원
  • 500개 ~ 538원
  • 1,000개 ~ 516원
K4213A-ZK-E1-AY-VB 		VBSEMI/微碧半导体 K4213A-ZK-E1-AY-VB|^|台积电流片，长电封测。 30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.9Vth(V) 封装：TO252 该产品是单N沟道MOSFET，用于需要高功率和高频率控制的场合，特别适用于要求高性能和低损耗
  • MOQ : 15
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 466원
  • 100개 ~ 431원
  • 500개 ~ 414원
  • 2,500개 ~ 397원
127N06L-VB 		VBSEMI/微碧半导体 127N06L-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.87Vth(V) 封装：TO252 适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
  • MOQ : 15
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 502원
  • 100개 ~ 465원
  • 500개 ~ 446원
  • 2,500개 ~ 427원
RQK0607AQDQS-VB 		VBSEMI/微碧半导体 RQK0607AQDQS-VB|^|N—Channel沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1~3Vth(V) 封装：SOT89-3
  • MOQ : 35
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 35개 ~ 188원
  • 100개 ~ 174원
  • 500개 ~ 167원
  • 1,000개 ~ 160원
2SK3537-01MR-VB 		VBSEMI/微碧半导体 2SK3537-01MR-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.5Vth(V) 封装：TO220F 由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量，可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,514원
  • 100개 ~ 1,401원
  • 500개 ~ 1,289원
  • 1,000개 ~ 1,233원
SIR642DP-T1-GE3-VB 		VBSEMI/微碧半导体 SIR642DP-T1-GE3-VB|^|DFN8(5X6)；N—Channel沟道,40V；123A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
  • MOQ : 10
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,297원
  • 100개 ~ 1,201원
  • 500개 ~ 1,105원
  • 5,000개 ~ 1,057원
K2624LS-VB 		VBSEMI/微碧半导体 K2624LS-VB|^|台积电流片，长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET，采用 Plannar 技术制造，具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F，适用于各种电源和功率控制应用
  • MOQ : 15
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 476원
  • 100개 ~ 440원
  • 500개 ~ 423원
  • 1,000개 ~ 405원
5R520P-VB TO220 		VBSEMI/微碧半导体 5R520P-VB TO220|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻，使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块，以实现高效能的能
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,483원
  • 100개 ~ 1,373원
  • 500개 ~ 1,263원
  • 1,000개 ~ 1,208원
HM530-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HM530-VB|^|台积电流片，长电封测。 100V,18A,RDS(ON),127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2~4Vth(V) 封装：TO220 一款单N沟道功率MOSFET，适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性，特别适合要求高效
  • MOQ : 15
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 424원
  • 100개 ~ 392원
  • 500개 ~ 377원
  • 1,000개 ~ 361원
HAT2028RJ-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HAT2028RJ-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.5Vth(V) 封装：SOP8 在工业自动化领域，该产品可用于工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块，提高系统的运行
  • MOQ : 15
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 460원
  • 100개 ~ 425원
  • 500개 ~ 391원
  • 4,000개 ~ 374원
HAT2210RJ-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HAT2210RJ-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.73Vth(V) 封装：SOP8 在LED照明系统中，可用于设计中功率的LED驱动模块，实现LED灯具的亮度调节和颜色控制。
  • MOQ : 25
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 25개 ~ 251원
  • 100개 ~ 232원
  • 500개 ~ 223원
  • 4,000개 ~ 213원
AO4427-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AO4427-VB|^|台积电流片，长电封测。 P沟道,-30V,-11A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.42Vth(V) 封装：SOP8适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管
  • MOQ : 20
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 334원
  • 100개 ~ 309원
  • 500개 ~ 297원
  • 4,000개 ~ 284원
AOD425A-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AOD425A-VB|^|P—Channel沟道,-30V,-40A,RDS(ON),18mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.7Vth(V) 封装：TO252
  • MOQ : 20
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 376원
  • 100개 ~ 348원
  • 500개 ~ 334원
  • 2,500개 ~ 320원
AP2315N-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP2315N-VB|^|台积电流片，长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管（MOSFET），是一种灵活多用、性能稳定的电子元件，适用于各种不同的领域和模块。 VDS（漏极-源极电压
  • MOQ : 80
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 80개 ~ 75원
  • 300개 ~ 69원
  • 500개 ~ 67원
  • 3,000개 ~ 64원
AP3988P-HF-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP3988P-HF-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO220 具有高漏源极电压和相对低的栅源极电阻，适用于各种电源模块，包括开关电源、逆变器等。
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 918원
  • 100개 ~ 850원
  • 500개 ~ 816원
  • 1,000개 ~ 782원
AP4417GH-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP4417GH-VB|^|台积电流片，长电封测。 P沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.3Vth(V) 封装：TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
  • MOQ : 20
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 292원
  • 100개 ~ 270원
  • 500개 ~ 260원
  • 2,500개 ~ 249원