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SIA408DJ-T1-GE3-VB 		VBSEMI/微碧半导体 SIA408DJ-T1-GE3-VB|^|N—Channel沟道,30V,5.8A,RDS(ON),22mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.2Vth(V) 封装：QFN6(2X2)
  • MOQ : 10
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 865원
  • 100개 ~ 801원
  • 500개 ~ 737원
  • 5,000개 ~ 705원
ELM14603AA-VB 		VBSEMI/微碧半导体 ELM14603AA-VB|^|台积电流片，长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET，采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8，
  • MOQ : 20
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 303원
  • 100개 ~ 280원
  • 500개 ~ 269원
  • 4,000개 ~ 258원
TK100A06N1-VB 		VBSEMI/微碧半导体 TK100A06N1-VB|^|台积电流片，长电封测。VBsemi的是一款单通道N沟道场效应晶体管（Single N），采用Trench工艺制造。\n适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源开关、工业控制和汽车电子等
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,384원
  • 100개 ~ 1,281원
  • 500개 ~ 1,230원
  • 1,000개 ~ 1,179원
80N06-VB 		VBSEMI/微碧半导体 80N06-VB|^|台积电流片，长电封测。TO263；N沟道；VDS=60V；ID =210A；RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=12mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=3V；适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,324원
  • 100개 ~ 1,226원
  • 500개 ~ 1,177원
  • 1,000개 ~ 1,128원
2SK1101-01MR-VB 		VBSEMI/微碧半导体 2SK1101-01MR-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻，使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块，以实现高效能的能
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,483원
  • 100개 ~ 1,373원
  • 500개 ~ 1,263원
  • 1,000개 ~ 1,208원
K2530-VB 		VBSEMI/微碧半导体 K2530-VB|^|台积电流片，长电封测。TO252；N沟道；VDS=250V；ID =4.5A；RDS(ON)=640mΩ@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和便携式电子产品等多个领域的单N沟道MOSF
  • MOQ : 10
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 635원
  • 100개 ~ 588원
  • 500개 ~ 541원
  • 2,500개 ~ 518원
AUIRFS3004-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AUIRFS3004-VB|^|N—Channel沟道,40V,250A,RDS(ON),1.4mΩ@10V,1.68mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2.2Vth(V) 封装：TO263
  • MOQ : 10
  • MPQ : 800
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,384원
  • 100개 ~ 1,281원
  • 500개 ~ 1,230원
  • 800개 ~ 1,179원
HAT2026RJ-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HAT2026RJ-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.8~2.5Vth(V) 封装：SOP8 适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域
  • MOQ : 25
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 25개 ~ 251원
  • 100개 ~ 232원
  • 500개 ~ 223원
  • 4,000개 ~ 213원
HAF1004S-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HAF1004S-VB|^|台积电流片，长电封测。 P沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.3Vth(V) 封装：TO252 可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效
  • MOQ : 15
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 459원
  • 100개 ~ 425원
  • 500개 ~ 408원
  • 2,500개 ~ 391원
SI7409ADN-VB 		VBSEMI/微碧半导体 SI7409ADN-VB|^|DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-45A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2.23V；
  • MOQ : 15
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 497원
  • 100개 ~ 461원
  • 500개 ~ 424원
  • 5,000개 ~ 405원
AO4420-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AO4420-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.8~2.5Vth(V) 封装：SOP8 适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
  • MOQ : 25
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 25개 ~ 250원
  • 100개 ~ 232원
  • 500개 ~ 222원
  • 4,000개 ~ 213원
AP03N70H-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP03N70H-VB|^|N—Channel沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V)；3.5Vth(V)；TO252
  • MOQ : 15
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 501원
  • 100개 ~ 463원
  • 500개 ~ 445원
  • 2,500개 ~ 426원
MIS6205-VB 		VBSEMI/微碧半导体 MIS6205-VB|^|P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1~-3Vth(V) 封装：SOT23-6
  • MOQ : 35
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 35개 ~ 170원
  • 100개 ~ 157원
  • 500개 ~ 151원
  • 3,000개 ~ 144원
K17A25D-VB 		VBSEMI/微碧半导体 K17A25D-VB|^|台积电流片，长电封测。TO220F；N沟道；VDS=250V；ID=16A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3.5V；适用于需要高功率、高电压和高效能量转换的应用，包括电源模块、电机控制模块和电源逆
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 882원
  • 100개 ~ 817원
  • 500개 ~ 784원
  • 1,000개 ~ 752원
AP2316GN-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP2316GN-VB|^|台积电流片，长电封测。 一款单通道N沟道场效应晶体管（Single N），采用Trench工艺制造。它的主要参数包括：最大漏极-源极电压（VDS）为30V，最大栅极-源极电压（VGS）为±20V，阈值
  • MOQ : 80
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 80개 ~ 75원
  • 300개 ~ 69원
  • 500개 ~ 67원
  • 3,000개 ~ 64원
AP4419GH-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP4419GH-VB|^|台积电流片，长电封测。 P沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.3Vth(V) 封装：TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
  • MOQ : 20
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 292원
  • 100개 ~ 270원
  • 500개 ~ 260원
  • 2,500개 ~ 249원
NTMFD6H852NL-VB 		VBSEMI/微碧半导体 NTMFD6H852NL-VB|^|N—Channel沟道,100V,35A,RDS(ON),0.018Ω@10V,0.022Ω@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V) 封装：DFN5X6
  • MOQ : 10
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 847원
  • 100개 ~ 784원
  • 500개 ~ 722원
  • 5,000개 ~ 690원
T424L-VB 		VBSEMI/微碧半导体 T424L-VB|^|N—Channel沟道,30V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.7Vth(V) 封装：TO220
  • MOQ : 15
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 562원
  • 100개 ~ 521원
  • 500개 ~ 500원
  • 1,000개 ~ 479원
APM3005NU-VB 		VBSEMI/微碧半导体 APM3005NU-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V) 封装：TO252 该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合，能够在高功率、高频率的电路中发挥优异
  • MOQ : 20
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 292원
  • 100개 ~ 270원
  • 500개 ~ 260원
  • 2,500개 ~ 249원
CSD17305Q5A-VB 		VBSEMI/微碧半导体 CSD17305Q5A-VB|^|台积电流片，长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.79Vth(V) 一款单N沟道场效应管，适用于中功率应用场景。具有较高的漏极电压和漏极电流能力，以及低阈值
  • MOQ : 10
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 649원
  • 100개 ~ 601원
  • 500개 ~ 553원
  • 5,000개 ~ 529원