MPN : AP2316GN-VB

AP2316GN-VB, 台积电流片，长电封测。 一款单通道N沟道场效应晶体管（Single N），采用Trench工艺制造。它的主要参数包括：最大漏极-源极电压（VDS）为30V，最大栅极-源极电压（VGS）为±20V，阈值

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