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SI7405BDN-T1-GE3-VB 		VBSEMI/微碧半导体 SI7405BDN-T1-GE3-VB|^|P—Channel沟道,-12V,-14.5A,RDS(ON),15mΩ@4.5V,19mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；-0.9Vth(V) 封装：QFN8(3X3)
  • MOQ : 10
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 662원
  • 100개 ~ 613원
  • 500개 ~ 564원
  • 5,000개 ~ 539원
SI7403BDN-T1-GE3-VB 		VBSEMI/微碧半导体 SI7403BDN-T1-GE3-VB|^|P—Channel沟道,-12V,-14.5A,RDS(ON),15mΩ@4.5V,19mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；-0.9Vth(V) 封装：QFN8(3X3)
  • MOQ : 10
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 662원
  • 100개 ~ 613원
  • 500개 ~ 564원
  • 5,000개 ~ 539원
AP9578GM-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP9578GM-VB|^|P—Channel沟道,-60V,-6A,RDS(ON),50mΩ@10V,61mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.5Vth(V) 封装：SOP8
  • MOQ : 15
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 501원
  • 100개 ~ 463원
  • 500개 ~ 426원
  • 4,000개 ~ 408원
DMG8601UFG-VB 		VBSEMI/微碧半导体 DMG8601UFG-VB|^|台积电流片，长电封测。DFN8(3X3)；N沟道；VDS=20V；ID =9.4A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=12mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=0.5~1.5V；以其低导通电阻和高电流处理能力，适合各种需要高效开关和低功
  • MOQ : 10
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 639원
  • 100개 ~ 592원
  • 500개 ~ 544원
  • 5,000개 ~ 521원
EMB22A04G-VB 		VBSEMI/微碧半导体 EMB22A04G-VB|^|N—Channel沟道,40V,12A,RDS(ON),15mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.55Vth(V) 封装：SOP8
  • MOQ : 15
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 432원
  • 100개 ~ 400원
  • 500개 ~ 368원
  • 4,000개 ~ 352원
K4213A-VB 		VBSEMI/微碧半导体 K4213A-VB|^|台积电流片，长电封测。 30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.9Vth(V) 封装：TO252 该产品是单N沟道MOSFET，用于需要高功率和高频率控制的场合，特别适用于要求高性能和低损耗的模块
  • MOQ : 15
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 466원
  • 100개 ~ 431원
  • 500개 ~ 414원
  • 2,500개 ~ 397원
2SJ463-T1-A-VB 		VBSEMI/微碧半导体 2SJ463-T1-A-VB|^|台积电流片，长电封测。 在电机控制系统中，该产品可用作电机驱动的开关管，用于控制电机的启停和速度调节。其高耐压性和低导通电阻特性使得电机驱动系统更加稳定和高效，
  • MOQ : 70
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 70개 ~ 87원
  • 300개 ~ 80원
  • 500개 ~ 77원
  • 3,000개 ~ 74원
BUK427-500B-VB 		VBSEMI/微碧半导体 BUK427-500B-VB|^|台积电流片，长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.1Vth(V) 封装：TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性，该器件适用于电源模块.
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 847원
  • 100개 ~ 784원
  • 500개 ~ 753원
  • 1,000개 ~ 722원
3N0403-VB TO220 		VBSEMI/微碧半导体 3N0403-VB TO220|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,40V,110A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V) 封装：TO220 可用作开关电源的主动开关器件，适用于DC-DC变换器、电源逆变器等模块，提供高效、稳定的
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 678원
  • 100개 ~ 627원
  • 500개 ~ 602원
  • 1,000개 ~ 577원
HM35N03D-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HM35N03D-VB|^|台积电流片，长电封测。 30V,80A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.82Vth(V) 封装：QFN8(5X6)产品是一款单极性N 型 MOSFET，该产品适用于需要更高漏极电流和低导通电阻的应用场景
  • MOQ : 15
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 519원
  • 100개 ~ 480원
  • 500개 ~ 442원
  • 5,000개 ~ 423원
XP161A1355PR-VB 		VBSEMI/微碧半导体 XP161A1355PR-VB|^|N—Channel沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOT89-3
  • MOQ : 35
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 35개 ~ 195원
  • 100개 ~ 180원
  • 500개 ~ 173원
  • 1,000개 ~ 166원
2SK3546G-VB 		VBSEMI/微碧半导体 2SK3546G-VB|^|N—Channel沟道,60V,0.25A,RDS(ON),1100mΩ@10V,1320mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.3Vth(V) 封装：SC75-3
  • MOQ : 95
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 95개 ~ 65원
  • 300개 ~ 60원
  • 500개 ~ 58원
  • 3,000개 ~ 55원
IXTH76N25T-VB 		VBSEMI/微碧半导体 IXTH76N25T-VB|^|TO247；N—Channel沟道,250V；60A；RDS(ON)=39mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2V；
  • MOQ : 10
  • MPQ : 300
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 3,027원
  • 100개 ~ 2,803원
  • 500개 ~ 2,578원
  • 900개 ~ 2,466원
FS30ASJ-03-VB 		VBSEMI/微碧半导体 FS30ASJ-03-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V) 封装：TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用，适用于需要高性
  • MOQ : 20
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 293원
  • 100개 ~ 272원
  • 500개 ~ 261원
  • 2,500개 ~ 250원
SIHF740-VB 		VBSEMI/微碧半导体 SIHF740-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻，使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块，以实现高效能的能量转
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,483원
  • 100개 ~ 1,373원
  • 500개 ~ 1,263원
  • 1,000개 ~ 1,208원
IPA90R800C3-VB 		VBSEMI/微碧半导体 IPA90R800C3-VB|^|N—Channel沟道,900V,11A,RDS(ON),580mΩ@10V,30Vgs(±V)；3.5Vth(V)；TO220F
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 2,815원
  • 100개 ~ 2,606원
  • 500개 ~ 2,398원
  • 1,000개 ~ 2,294원
P20N10L-VB 		VBSEMI/微碧半导体 P20N10L-VB|^|台积电流片，长电封测。\n100V,18A,RDS(ON),127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2~4Vth(V) 封装：TO220\n一款单N沟道功率MOSFET，适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性，特别适合要求高
  • MOQ : 15
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 432원
  • 100개 ~ 400원
  • 500개 ~ 384원
  • 1,000개 ~ 368원
HAT2020R-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HAT2020R-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.8~2.5Vth(V) 封装：SOP8 适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
  • MOQ : 25
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 25개 ~ 251원
  • 100개 ~ 232원
  • 500개 ~ 223원
  • 4,000개 ~ 213원
HAF1002S-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HAF1002S-VB|^|P—Channel沟道,-60V,-20A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1~-3Vth(V) 封装：TO263
  • MOQ : 10
  • MPQ : 800
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 627원
  • 100개 ~ 580원
  • 500개 ~ 557원
  • 800개 ~ 534원
UTM4052G-S08-R-VB 		VBSEMI/微碧半导体 UTM4052G-S08-R-VB|^|台积电流片，长电封测。 N+P沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；±1.9Vth(V) 封装：SOP8可用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备领
  • MOQ : 15
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 508원
  • 100개 ~ 471원
  • 500개 ~ 433원
  • 4,000개 ~ 414원