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Image Mfr.Part# Manufacturer Description MOQ/MPQ/PKG Priceing Quantity
STB100NF04-VB 		VBSEMI/微碧半导体 STB100NF04-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,40V,100A,RDS(ON),5mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V) 封装：TO263适用于中功率和中电压的场合，可广泛应用于各种电子设备和模块中。
  • MOQ : 10
  • MPQ : 800
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 623원
  • 100개 ~ 576원
  • 500개 ~ 553원
  • 800개 ~ 530원
CSD16322Q5C-VB 		VBSEMI/微碧半导体 CSD16322Q5C-VB|^|N—Channel沟道,300V,2A,RDS(ON),2500mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1~4Vth(V) 封装：QFN8(5X6)
  • MOQ : 10
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 865원
  • 100개 ~ 801원
  • 500개 ~ 737원
  • 5,000개 ~ 705원
VBFB1204M 		VBSEMI/微碧半导体 VBFB1204M|^|N—Channel沟道,200V,9A,RDS(ON),420mΩ@10V,525mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；3Vth(V) 封装：TO251
  • MOQ : 15
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 402원
  • 100개 ~ 372원
  • 500개 ~ 343원
  • 4,000개 ~ 328원
K3450-01-VB 		VBSEMI/微碧半导体 K3450-01-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻，使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块，以实现高效能的能量
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,483원
  • 100개 ~ 1,373원
  • 500개 ~ 1,263원
  • 1,000개 ~ 1,208원
F530-VB 		VBSEMI/微碧半导体 F530-VB|^|台积电流片，长电封测。 100V,18A,RDS(ON),127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2~4Vth(V) 封装：TO220 一款单N沟道功率MOSFET，适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性，特别适合要求高效率
  • MOQ : 15
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 424원
  • 100개 ~ 392원
  • 500개 ~ 377원
  • 1,000개 ~ 361원
HAT2025RJ-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HAT2025RJ-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.8~2.5Vth(V) 封装：SOP8 适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域
  • MOQ : 25
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 25개 ~ 251원
  • 100개 ~ 232원
  • 500개 ~ 223원
  • 4,000개 ~ 213원
HAT2215RJ-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HAT2215RJ-VB|^|N—Channel沟道,80V,3.5A,RDS(ON),75mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：SOP8
  • MOQ : 10
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 752원
  • 100개 ~ 696원
  • 500개 ~ 640원
  • 4,000개 ~ 613원
RJK2557DPA-VB 		VBSEMI/微碧半导体 RJK2557DPA-VB|^|台积电流片，长电封测。DFN8(5X6)；N沟道；VDS=250V；ID =35A；RDS(ON)=42mΩ@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3.5V；适用于需要高电压、高电流和高效率的应用领域，包括但不限于电动车辆、工业电源、
  • MOQ : 10
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,946원
  • 100개 ~ 1,802원
  • 500개 ~ 1,658원
  • 5,000개 ~ 1,586원
AP20T03J-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP20T03J-VB|^|台积电流片，长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.92Vth(V) 封装：TO251\n适用于需要中等功率和电流的应用场合，能够在一定程度上平衡功率和性能。其沟槽型技术可
  • MOQ : 20
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 303원
  • 100개 ~ 280원
  • 500개 ~ 269원
  • 4,000개 ~ 258원
VBMB1603 		VBSEMI/微碧半导体 VBMB1603|^|台积电流片，长电封测。VBsemi的是一款单通道N沟道场效应晶体管（Single N），采用Trench工艺制造。\n适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源开关、工业控制和汽车电子等领
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,384원
  • 100개 ~ 1,281원
  • 500개 ~ 1,230원
  • 1,000개 ~ 1,179원
AOD424-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AOD424-VB|^|台积电流片，长电封测。 一款单N沟道场效应管，具有20V的标称漏极-源极电压(VDS)，±20V的标称栅极-源极电压(VGS)，以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时，其导通电阻(RDS(on))为6mΩ，在V
  • MOQ : 20
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 376원
  • 100개 ~ 348원
  • 500개 ~ 334원
  • 2,500개 ~ 320원
AP03N70F-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP03N70F-VB|^|台积电流片，长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET，采用 Plannar 技术制造，具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F，适用于各种电源和功率控制应用
  • MOQ : 15
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 459원
  • 100개 ~ 425원
  • 500개 ~ 408원
  • 1,000개 ~ 391원
AP4418GJ-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP4418GJ-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.92Vth(V) 封装：TO251 适用于需要中等功率和电流的应用场合，能够在一定程度上平衡功率和性能。其沟槽型技术可
  • MOQ : 20
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 292원
  • 100개 ~ 270원
  • 500개 ~ 260원
  • 4,000개 ~ 249원
AP9576GM-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP9576GM-VB|^|P—Channel沟道,-60V,-6A,RDS(ON),50mΩ@10V,61mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.5Vth(V) 封装：SOP8
  • MOQ : 15
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 501원
  • 100개 ~ 463원
  • 500개 ~ 426원
  • 4,000개 ~ 408원
2SK4213-E1-AY-VB 		VBSEMI/微碧半导体 2SK4213-E1-AY-VB|^|台积电流片，长电封测。 30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.9Vth(V) 封装：TO252 该产品是单N沟道MOSFET，用于需要高功率和高频率控制的场合，特别适用于要求高性能和低损耗的
  • MOQ : 15
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 466원
  • 100개 ~ 431원
  • 500개 ~ 414원
  • 2,500개 ~ 397원
FB4103-VB 		VBSEMI/微碧半导体 FB4103-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2~3Vth(V) 封装：TO220适用于各种电源管理和功率控制应用。其高额定漏极-源极电压、低阈值电压和高导通电流使其
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 747원
  • 100개 ~ 692원
  • 500개 ~ 664원
  • 1,000개 ~ 636원
AM7200N-T1-PF-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AM7200N-T1-PF-VB|^|DFN8(3X3)；2个N—Channel沟道,200V；15.2A；RDS(ON)=77mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2V；
  • MOQ : 10
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,241원
  • 100개 ~ 1,149원
  • 500개 ~ 1,057원
  • 5,000개 ~ 1,011원
SIHP6N65E-VB 		VBSEMI/微碧半导体 SIHP6N65E-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻，使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块，以实现高效能的能量
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,483원
  • 100개 ~ 1,373원
  • 500개 ~ 1,263원
  • 1,000개 ~ 1,208원
2530-VB 		VBSEMI/微碧半导体 2530-VB|^|台积电流片，长电封测。N+P沟道,±20V,7/-4.5A,RDS(ON),20/70mΩ@4.5V,29/106mΩ@2.5V,20Vgs(±V)；0.71/-0.81Vth(V)封装：SOT23-6可用于电源管理系统中的电流调节和电路保护模块，提供高效的功率控制和稳定
  • MOQ : 35
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 35개 ~ 170원
  • 100개 ~ 157원
  • 500개 ~ 151원
  • 3,000개 ~ 144원
HAT2020RJ-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HAT2020RJ-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.8~2.5Vth(V) 封装：SOP8 适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域
  • MOQ : 25
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 25개 ~ 251원
  • 100개 ~ 232원
  • 500개 ~ 223원
  • 4,000개 ~ 213원