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HAT2219RJ-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HAT2219RJ-VB|^|N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.5Vth(V) 封装：SOP8
  • MOQ : 20
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 293원
  • 100개 ~ 271원
  • 500개 ~ 260원
  • 4,000개 ~ 249원
AO4429-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AO4429-VB|^|台积电流片，长电封测。 P沟道场效应晶体管（MOSFET），是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。 具有参数：VDS（漏极-源极电压）为-30V，VGS（栅极-源极
  • MOQ : 15
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 417원
  • 100개 ~ 386원
  • 500개 ~ 355원
  • 4,000개 ~ 340원
AOD425-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AOD425-VB|^|P—Channel沟道,-30V,-40A,RDS(ON),18mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.7Vth(V) 封装：TO-252
  • MOQ : 20
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 376원
  • 100개 ~ 348원
  • 500개 ~ 334원
  • 2,500개 ~ 320원
AP18P10GI-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP18P10GI-VB|^|P—Channel沟道,-100V,-18A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-2~-4Vth(V) 封装：TO220F
  • MOQ : 15
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 501원
  • 100개 ~ 463원
  • 500개 ~ 445원
  • 1,000개 ~ 426원
AP2311N-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP2311N-VB|^|P—Channel沟道,-60V,-5.2A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-2Vth(V) 封装：SOT23-3
  • MOQ : 30
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 30개 ~ 209원
  • 100개 ~ 193원
  • 500개 ~ 185원
  • 3,000개 ~ 178원
K4213-ZK-E1-VB 		VBSEMI/微碧半导体 K4213-ZK-E1-VB|^|台积电流片，长电封测。 30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.9Vth(V) 封装：TO252 该产品是单N沟道MOSFET，用于需要高功率和高频率控制的场合，特别适用于要求高性能和低损耗的模
  • MOQ : 15
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 466원
  • 100개 ~ 431원
  • 500개 ~ 414원
  • 2,500개 ~ 397원
A2723-VB 		VBSEMI/微碧半导体 A2723-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.79Vth(V) 一款单N沟道场效应管，适用于中功率应用场景。具有较高的漏极电压和漏极电流能力，以及低阈值电压和
  • MOQ : 10
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 649원
  • 100개 ~ 601원
  • 500개 ~ 553원
  • 5,000개 ~ 529원
HUFA75309T3ST-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HUFA75309T3ST-VB|^|N—Channel沟道,60V,7A,RDS(ON),24mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1~3Vth(V) 封装：SOT223
  • MOQ : 20
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 353원
  • 100개 ~ 327원
  • 500개 ~ 314원
  • 2,500개 ~ 301원
IRFU3607PBF-VB 		VBSEMI/微碧半导体 IRFU3607PBF-VB|^|TO251；N—Channel沟道,80V,80A,RDS(ON),6.6mΩ@10V,7.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；
  • MOQ : 10
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 951원
  • 100개 ~ 881원
  • 500개 ~ 810원
  • 4,000개 ~ 775원
ELM13421CA-VB 		VBSEMI/微碧半导体 ELM13421CA-VB|^|台积电流片，长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管（MOSFET），是一种灵活多用、性能稳定的电子元件，适用于各种不同的领域和模块。\nVDS（漏极-源极电
  • MOQ : 80
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 80개 ~ 78원
  • 300개 ~ 72원
  • 500개 ~ 69원
  • 3,000개 ~ 66원
HMS8N65-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HMS8N65-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻，使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块，以实现高效能的能量转
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,483원
  • 100개 ~ 1,373원
  • 500개 ~ 1,263원
  • 1,000개 ~ 1,208원
F9530-VB 		VBSEMI/微碧半导体 F9530-VB|^|P—Channel沟道,-100V,-18A,RDS(ON),167mΩ@10V,178mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.6Vth(V) 封装：TO220
  • MOQ : 15
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 458원
  • 100개 ~ 424원
  • 500개 ~ 407원
  • 1,000개 ~ 390원
HAT2027RJ-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HAT2027RJ-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOP8适用于需要高性能开关的电路和模块，电源逆变器模块、电动车辆控制模块、工业自动
  • MOQ : 25
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 25개 ~ 251원
  • 100개 ~ 232원
  • 500개 ~ 223원
  • 4,000개 ~ 213원
HAT2218WP-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HAT2218WP-VB|^|N—Channel沟道,30V,14/22A,RDS(ON),18mΩ@10V,21.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.2~2Vth(V) 封装：QFN8(5X6)
  • MOQ : 15
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 543원
  • 100개 ~ 503원
  • 500개 ~ 463원
  • 5,000개 ~ 443원
HAF1008S-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HAF1008S-VB|^|P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1~-3Vth(V) 封装：TO263
  • MOQ : 10
  • MPQ : 800
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 752원
  • 100개 ~ 696원
  • 500개 ~ 668원
  • 800개 ~ 640원
QM3015S-VB 		VBSEMI/微碧半导体 QM3015S-VB|^|台积电流片，长电封测。 P沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.5Vth(V) 封装：SOP8 一款单P沟道场效应晶体管（FET），用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领
  • MOQ : 30
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 30개 ~ 216원
  • 100개 ~ 200원
  • 500개 ~ 192원
  • 4,000개 ~ 184원
UTM4052G-S08-R&30V-VB 		VBSEMI/微碧半导体 UTM4052G-S08-R&30V-VB|^|台积电流片，长电封测。 一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET，采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。封装为
  • MOQ : 20
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 297원
  • 100개 ~ 275원
  • 500개 ~ 264원
  • 4,000개 ~ 253원
AO4422-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AO4422-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.8~2.5Vth(V) 封装：SOP8 适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
  • MOQ : 25
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 25개 ~ 250원
  • 100개 ~ 232원
  • 500개 ~ 222원
  • 4,000개 ~ 213원
FB3256-VB 		VBSEMI/微碧半导体 FB3256-VB|^|台积电流片，长电封测。\nN沟道,60V,210A,RDS(ON),3mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2.9Vth(V) 封装：TO220\n适用于需要中高功率和电流的应用场合，能够在一定程度上平衡功率和性能。其适中尺寸的封
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,297원
  • 100개 ~ 1,201원
  • 500개 ~ 1,153원
  • 1,000개 ~ 1,105원
AOD420-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AOD420-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V) 封装：TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用，适用于需要高性能
  • MOQ : 20
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 292원
  • 100개 ~ 270원
  • 500개 ~ 260원
  • 2,500개 ~ 249원