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NDD60N745U1T4G-VB 		VBSEMI/微碧半导体 NDD60N745U1T4G-VB|^|台积电流片，长电封测。\n一款单极性 N 型功率场效应晶体管（MOSFET），额定电压高达650V，适用于高压应用场景。门源电压范围广泛（±30V），具有良好的电压容忍性。阈值电压
  • MOQ : 10
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 865원
  • 100개 ~ 801원
  • 500개 ~ 737원
  • 2,500개 ~ 705원
MTW23N25E-VB 		VBSEMI/微碧半导体 MTW23N25E-VB|^|TO247；N—Channel沟道,250V；60A；RDS(ON)=39mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2V；
  • MOQ : 10
  • MPQ : 300
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 3,027원
  • 100개 ~ 2,803원
  • 500개 ~ 2,578원
  • 900개 ~ 2,466원
2340-VB 		VBSEMI/微碧半导体 2340-VB|^|台积电流片，长电封测。20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.45~1Vth(V)封装：SOT23-3\n一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高
  • MOQ : 115
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 115개 ~ 52원
  • 300개 ~ 48원
  • 500개 ~ 46원
  • 3,000개 ~ 44원
STP11NK50Z-VB 		VBSEMI/微碧半导体 STP11NK50Z-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻，使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块，以实现高效能的能量
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,334원
  • 100개 ~ 1,236원
  • 500개 ~ 1,186원
  • 1,000개 ~ 1,137원
HAT2027R-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HAT2027R-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOP8适用于需要高性能开关的电路和模块，电源逆变器模块、电动车辆控制模块、工业自动
  • MOQ : 25
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 25개 ~ 251원
  • 100개 ~ 232원
  • 500개 ~ 223원
  • 4,000개 ~ 213원
20T03GH-VB 		VBSEMI/微碧半导体 20T03GH-VB|^|台积电流片，长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V) 封装：TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用，适用于需要高性能
  • MOQ : 20
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 303원
  • 100개 ~ 280원
  • 500개 ~ 269원
  • 2,500개 ~ 258원
HUF75343S3-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HUF75343S3-VB|^|台积电流片，长电封测。TO262；N沟道；VDS=60V；ID =210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3.5V；可以用于音频功率放大器，减少功率损耗，改善音频信号的质量。
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,297원
  • 100개 ~ 1,201원
  • 500개 ~ 1,153원
  • 1,000개 ~ 1,105원
AP6A100M-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP6A100M-VB|^|台积电流片，长电封测。采用栓N沟道，，配备SOP8封装，能够有效降低功率损耗并提高电路的整体效率，广泛应用于低电压、高效能的电源管理系统和功率控制模块。\nSOP8；双N沟道,60V
  • MOQ : 20
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 424원
  • 100개 ~ 392원
  • 300개 ~ 377원
  • 500개 ~ 361원
AP2310N-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP2310N-VB|^|台积电流片，长电封测。 产品适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。 N沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1~3Vth(V)
  • MOQ : 35
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 35개 ~ 167원
  • 100개 ~ 155원
  • 500개 ~ 148원
  • 3,000개 ~ 142원
SQ7415AEN-T1-GE3-VB 		VBSEMI/微碧半导体 SQ7415AEN-T1-GE3-VB|^|DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-60V；-20A；RDS(ON)=37mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
  • MOQ : 15
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 596원
  • 100개 ~ 552원
  • 500개 ~ 508원
  • 5,000개 ~ 486원
2SK4213-ZK-VB 		VBSEMI/微碧半导体 2SK4213-ZK-VB|^|台积电流片，长电封测。 30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.9Vth(V) 封装：TO252 该产品是单N沟道MOSFET，用于需要高功率和高频率控制的场合，特别适用于要求高性能和低损耗的模
  • MOQ : 15
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 15개 ~ 466원
  • 100개 ~ 431원
  • 500개 ~ 414원
  • 2,500개 ~ 397원
HAT1126R-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HAT1126R-VB|^|P—Channel沟道,-60V,-5.3A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1~-3Vth(V) 封装：SOP8
  • MOQ : 10
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 605원
  • 100개 ~ 561원
  • 500개 ~ 516원
  • 4,000개 ~ 493원
MDF11N60G 2SK4086-VB 		VBSEMI/微碧半导体 MDF11N60G 2SK4086-VB|^|台积电流片，长电封测。\nVBsemi品牌推出的一款TO220F封装的单N型半导体器件。它具有650V的耐压（VDS），最大电流达到20A（ID），在VGS=10V时具有160m?的导通电阻。该产品采用了SJ_M
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,297원
  • 100개 ~ 1,201원
  • 500개 ~ 1,153원
  • 1,000개 ~ 1,105원
HUF75309D3ST-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HUF75309D3ST-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V) 封装：TO220 是一款单通道N沟道场效应管，具有适中的电压容限和漏极电流，适用于中功率应用场景。
  • MOQ : 20
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 397원
  • 100개 ~ 368원
  • 500개 ~ 353원
  • 1,000개 ~ 339원
K3879-VB 		VBSEMI/微碧半导体 K3879-VB|^|N—Channel沟道,800V,5A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO220F
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,297원
  • 100개 ~ 1,201원
  • 500개 ~ 1,153원
  • 1,000개 ~ 1,105원
2SK3455-VB 		VBSEMI/微碧半导体 2SK3455-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻，使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块，以实现高效能的能量转
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,483원
  • 100개 ~ 1,373원
  • 500개 ~ 1,263원
  • 1,000개 ~ 1,208원
HAT2029R-VB 		VBSEMI/微碧半导体 HAT2029R-VB|^|台积电流片，长电封测。 N沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.73Vth(V) 封装：SOP8 在LED照明系统中，可用于设计中功率的LED驱动模块，实现LED灯具的亮度调节和颜色控制。
  • MOQ : 25
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 25개 ~ 251원
  • 100개 ~ 232원
  • 500개 ~ 223원
  • 4,000개 ~ 213원
AO4425-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AO4425-VB|^|台积电流片，长电封测。 P沟道,-30V,-11A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.42Vth(V) 封装：SOP8适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管
  • MOQ : 20
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 20개 ~ 334원
  • 100개 ~ 309원
  • 500개 ~ 297원
  • 4,000개 ~ 284원
LZ24L-VB 		VBSEMI/微碧半导体 LZ24L-VB|^|台积电流片，长电封测。TO262；N沟道；VDS=60V；ID =210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3.5V；可以用于音频功率放大器，减少功率损耗，改善音频信号的质量。
  • MOQ : 10
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 1,297원
  • 100개 ~ 1,201원
  • 500개 ~ 1,153원
  • 1,000개 ~ 1,105원
AP2312N-VB 		VBSEMI/微碧半导体 AP2312N-VB|^|台积电流片，长电封测。 20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.45~1Vth(V) 封装：SOT23-3 一款单 N 型场效应晶体管，适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电
  • MOQ : 115
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 115개 ~ 50원
  • 300개 ~ 46원
  • 500개 ~ 44원
  • 3,000개 ~ 43원