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NDD60N745U1T4G-VB, 台积电流片,长电封测。\n一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压
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