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AP20T03J-VB, 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO251\n适用于需要中等功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其沟槽型技术可
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