MPN : HM35N03D-VB

HM35N03D-VB, 台积电流片，长电封测。 30V,80A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.82Vth(V) 封装：QFN8(5X6)产品是一款单极性N 型 MOSFET，该产品适用于需要更高漏极电流和低导通电阻的应用场景

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• VBSEMI/微碧半导体
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