MPN : K2530-VB

K2530-VB, 台积电流片，长电封测。TO252；N沟道；VDS=250V；ID =4.5A；RDS(ON)=640mΩ@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和便携式电子产品等多个领域的单N沟道MOSF

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• VBSEMI/微碧半导体
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