MPN : HM30N10-VB

HM30N10-VB, 台积电流片，长电封测。 N沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V) 封装：TO220 具有高性能和可靠性，适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力

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