MPN : AP18P10GJ-VB

AP18P10GJ-VB, 台积电流片，长电封测。TO251；P沟道；VDS=-100V；ID =-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=-2V；具有多种特性和应用领域，包括电源管理、汽车电子和家用电器控制等

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• VBSEMI/微碧半导体
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