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SN74HC366N 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SN74HC366N|^|此款缓冲器/驱动器/收发器采用三态输出设计，可在2V至6V的宽电源电压范围内稳定工作。该器件能够提供最大6mA的灌电流，而拉电流则为-20uA，确保了良好的信号驱动能力。适用于多种
  • MOQ : 50
  • MPQ : 25
  • PKG : ()
  • 50개 ~ 341원
  • 150개 ~ 335원
  • 250개 ~ 327원
AP3N5R0H 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AP3N5R0H|^|这款N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID/A）和30V的最大漏源电压（VDSS/V），适用于高效率电源转换和开关应用。其导通电阻（RDON/mR）仅为3.8mΩ，在高频工作条件下能够保
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 225원
  • 7,500개 ~ 221원
  • 12,500개 ~ 215원
AP6679BGH 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AP6679BGH|^|这款P沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流能力和30V的最大漏源电压承受能力，其导通电阻仅为6.5mΩ，在20V栅源电压下表现出色。该场效应管适用于要求高效能和低损耗的电路设计中，如电
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 183원
  • 7,500개 ~ 180원
  • 12,500개 ~ 175원
P6SMB250A 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 P6SMB250A|^|214V 单向 600W 1.75A 344V 237V 贴片安装 5.28mm(长度)*2.44mm(高度)
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 56원
  • 9,000개 ~ 56원
  • 15,000개 ~ 54원
IRF7103PBF 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRF7103PBF|^|这款N+N型场效应管，具备6.5A的电流承载能力，最高60V的工作电压，以及32mR的典型内阻。其VGS为20V，适用于多种应用场景。该元器件具有优异的性能表现，可确保系统的稳定运行。在设
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 295원
  • 9,000개 ~ 290원
  • 15,000개 ~ 283원
AP3N5R0AH 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AP3N5R0AH|^|这款N沟道场效应管（MOSFET）设计用于高效率的电子设备中，拥有100A的连续漏极电流（ID/A）和30V的最大漏源电压（VDSS/V），满足高功率需求。其导通电阻仅为3.8mΩ（RDON/mR），有助于降
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 135원
  • 7,500개 ~ 133원
  • 12,500개 ~ 130원
AO4406 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO4406|^|描述: 此款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流高达8.5A。适用于低至中等功率的电源转换、负载开关及电池管理系统应用，具备高效能与小型化设计，为现代电子产品提
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 58원
  • 9,000개 ~ 57원
  • 15,000개 ~ 55원
8205A 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 8205A|^|描述: 该消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道设计，额定电压为20V，最大连续电流高达6A。适用于高效率电源转换和负载开关应用，紧凑结构与强大性能结合，提供卓越的双通道功率
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 23원
  • 9,000개 ~ 22원
  • 15,000개 ~ 22원
AOSS62934 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AOSS62934|^|这款N型场效应管拥有5A的电流处理能力和100V的耐压上限，内阻典型值为110毫欧姆，适用于高效能应用。其VGS为20V，确保了稳定的开关控制。因其出色的性能和可靠性，非常适合用于要
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 99원
  • 9,000개 ~ 97원
  • 15,000개 ~ 94원
AP3N5R0AMT 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AP3N5R0AMT|^|这款N沟道场效应管（MOSFET）具备150A的连续漏极电流（ID/A）和30V的最大漏源电压（VDSS/V），适合应用于要求高电流承载能力的场合。其低至3mΩ的导通电阻（RDON/mR）有效减少了电力传输
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 168원
  • 15,000개 ~ 165원
  • 25,000개 ~ 161원
AP9926GM 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AP9926GM|^|这款N沟道场效应管（MOSFET）具有6安培的最大连续漏极电流（ID/A）和20伏特的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻仅为21毫欧（RDON/mR），在低电阻条件下提供了高效的电流传输能力。最
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 145원
  • 9,000개 ~ 142원
  • 15,000개 ~ 139원
SN74HC574N 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SN74HC574N|^|D-型触发器，采用上升沿触发方式，工作电源电压范围宽广，支持2V至6V，适用于多种供电条件。该触发器能够在高达37MHz的时钟频率下稳定运行，确保了高速数据处理能力。此器件通过
  • MOQ : 18
  • MPQ : 18
  • PKG : ()
  • 18개 ~ 209원
  • 54개 ~ 206원
  • 90개 ~ 200원
FDS6298 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDS6298|^|这款N型场效应管拥有15A的电流承载能力，30V的耐压特性，内阻典型值为7.5mΩ，适用于射频和通信领域。其VGS为20V，可确保稳定的开关性能。该元器件设计精良，适用于信号放大及开关电
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 114원
  • 9,000개 ~ 112원
  • 15,000개 ~ 109원
KTA1505Y 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 KTA1505Y|^|本款PNP型三极管，具备30V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），适用于广泛的电路设计中作为开关或放大组件。其电流增益（HFE）范围广，介于70到400之间，能够有效放大输入信号，确保输
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 17원
  • 9,000개 ~ 17원
  • 15,000개 ~ 16원
SG3D15B3.3MA 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SG3D15B3.3MA|^|这款静电和浪涌保护器件为双向类型，有一个通道。工作电压3.3V，可承受17A电流。结电容典型值为1pF，对电路影响较小。适用于多种电子产品，能有效双向防护静电和浪涌干扰，保
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 42원
  • 9,000개 ~ 41원
  • 15,000개 ~ 40원
B16WS 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 B16WS|^|描述: 开关电源 低压差线性稳压器 高频信号处理电路 通信设备 LED驱动电路 太阳能电池板最大功率点跟踪（MPPT）控制器
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 19원
  • 9,000개 ~ 19원
  • 15,000개 ~ 19원
RT9013-33GB 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 RT9013-33GB|^|这款线性稳压器（LDO）提供了一个稳定的3.3V输出电压，能够在输入电压高达7V的情况下正常工作，确保了电源解决方案的灵活性与可靠性。该LDO的最大输出电流为0.5A，适用于需要中等
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 46원
  • 9,000개 ~ 45원
  • 15,000개 ~ 44원
BC846B 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BC846B|^|描述: 此款NPN型三极管采用紧凑型SOT-23封装，适用于空间受限的电路设计。器件拥有65V的高集电极发射极击穿电压（VCEO）和0.1A的连续集电极电流（IC），放大倍数在200至450之间，提供强大
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 6원
  • 9,000개 ~ 6원
  • 15,000개 ~ 6원
L7915CV 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 L7915CV|^|这款低压差线性稳压器（LDO）提供稳定的15伏特输出电压（VO），最大输出电流（IO）可达1.5安培，满足了多种电路设计的需求。其输入电压（VI）范围宽至35伏特，使得该LDO能够在不同供
  • MOQ : 100
  • MPQ : 50
  • PKG : ()
  • 100개 ~ 185원
  • 300개 ~ 182원
  • 500개 ~ 178원
AD50N06S 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AD50N06S|^|这款N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的最大连续漏极电流和60V的漏源极击穿电压，确保了其在高功率密度应用中的稳定性和可靠性。该元件的导通电阻仅为15mΩ，在大电流工作状态下仍能
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 403원
  • 7,500개 ~ 396원
  • 12,500개 ~ 386원