MPN : AP3N5R0AH

AP3N5R0AH, 这款N沟道场效应管（MOSFET）设计用于高效率的电子设备中，拥有100A的连续漏极电流（ID/A）和30V的最大漏源电压（VDSS/V），满足高功率需求。其导通电阻仅为3.8mΩ（RDON/mR），有助于降

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• HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
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