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AD50N06S, 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有50A的最大连续漏极电流和60V的漏源极击穿电压,确保了其在高功率密度应用中的稳定性和可靠性。该元件的导通电阻仅为15mΩ,在大电流工作状态下仍能
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