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HESDUC5VU2AF3-A 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HESDUC5VU2AF3-A|^|本产品是一款静电和浪涌保护元器件，适用于保护敏感设备免受瞬态电压的影响。具有3A的电流承载能力，5V的工作电压，0.45pF的典型结电容，双通道设计，以及单向保护类型。可
  • MOQ : 10,000
  • MPQ : 10,000
  • PKG : ()
  • 10,000개 ~ 21원
  • 30,000개 ~ 20원
  • 50,000개 ~ 20원
CSD17577Q3A 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 CSD17577Q3A|^|这款场效应管为N型，电流高达100A，可适应较大功率场景。电压30V，能在特定电路环境下稳定运行。内阻典型值4mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 328원
  • 15,000개 ~ 323원
  • 25,000개 ~ 314원
HT7830 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HT7830|^|描述: 该SOT-89封装LDO线性稳压器，专为高效供电设计，提供稳定的3V输出电压(Vout)，并支持高达0.45A的电流(Iout)。最大输入电压为12V(Vin(Max))，确保在有限电压范围内实现低噪声、高稳定性
  • MOQ : 1,000
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 1,000개 ~ 56원
  • 3,000개 ~ 55원
  • 5,000개 ~ 54원
BZT52C2V4 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BZT52C2V4|^|这款稳压二极管设计用于提供精确的电压稳定，其额定稳定电压（VR）为2.4V，适用于需要低压稳压的应用场景。正向电压（VF）为0.9V，有助于保持效率。反向漏电流（IR）为50微安，意
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 7원
  • 9,000개 ~ 7원
  • 15,000개 ~ 7원
S9015 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 S9015|^|300mV@ 100mA,10mA PNP 100nA 100mA SOT-323
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 15원
  • 9,000개 ~ 15원
  • 15,000개 ~ 15원
78L06 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 78L06|^|描述: 这款LDO线性稳压器采用紧凑型SOT-89封装，专为高精度电压转换设计。提供稳定的6V输出电压和最大0.1A电流能力，适应宽泛的输入电压范围（最高30V）。凭借出色的线性调节性能与低
  • MOQ : 1,000
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 1,000개 ~ 29원
  • 3,000개 ~ 28원
  • 5,000개 ~ 27원
SQ7414AEN-T1_GE3 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SQ7414AEN-T1_GE3|^|这款场效应管为N型，电流为30A，可满足一定功率需求。电压60V，能在特定电路环境下稳定工作。内阻典型值24mR，能量损耗相对较高。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 373원
  • 15,000개 ~ 367원
  • 25,000개 ~ 357원
B772 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 B772|^|描述: 该SOT-89封装的高性能PNP型三极管，具备30V高耐压VCEO及3A大电流集电极能力，放大倍数稳定在160至320之间，适用于高增益、大电流开关与线性放大应用场合，是您电子设计和制造项目的
  • MOQ : 1,000
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 1,000개 ~ 34원
  • 3,000개 ~ 34원
  • 5,000개 ~ 33원
FDS9431A 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDS9431A|^|这款场效应管为P型，电流5.8A，可在一定功率范围内发挥作用。电压30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值43mR，会产生一定能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 108원
  • 9,000개 ~ 106원
  • 15,000개 ~ 104원
PC817B 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 PC817B|^|1.2V 18μs 光电三极管 50mA 18μs SMD-4
  • MOQ : 2,000
  • MPQ : 2,000
  • PKG : ()
  • 2,000개 ~ 26원
  • 6,000개 ~ 26원
  • 10,000개 ~ 25원
BZT52C2V4S 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BZT52C2V4S|^|这款稳压二极管提供稳定的电压输出，适用于各类电子设备。其技术参数包括：标称稳压值（VR）为2.4伏特，在正向导通状态下的电压降（VF）为0.9伏特；反向漏电流（IR）在标准测试
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 9원
  • 9,000개 ~ 9원
  • 15,000개 ~ 9원
AO3401 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO3401|^|1.2W 12V 1.3V 9.4nC@ 4.5V 2个P沟道 30V 4.2A 260pF@10V SOT-23
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 18원
  • 9,000개 ~ 18원
  • 15,000개 ~ 18원
HAON7407 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HAON7407|^|这款P沟道场效应管（MOSFET）支持最高30A的连续漏极电流（ID），并在20V的最大漏源电压（VDSS）下稳定运行。其导通电阻（RDSON）仅为12毫欧，在栅源电压（VGS）为12V时提供优异的导电性
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 130원
  • 15,000개 ~ 128원
  • 25,000개 ~ 125원
AP03N70H 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AP03N70H|^|这款N沟道场效应管（MOSFET）具有4A的最大漏极电流ID和650V的击穿电压VDSS，能够承受较高的电压波动。其导通电阻RDON为2400mΩ，在VGS=30V时表现出色，适用于需要高耐压和低功耗特性的电路
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 234원
  • 7,500개 ~ 230원
  • 12,500개 ~ 225원
MSC015SDA120K 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 MSC015SDA120K|^|这款碳化硅二极管具有15安培的正向电流（IF），并在反向电压（VR）达到1200伏特时仍能保持稳定。其正向电压降（VF）仅为1.27伏特，在保证高效导电的同时，降低了能量损耗。反向
  • MOQ : 50
  • MPQ : 50
  • PKG : ()
  • 50개 ~ 2,259원
  • 150개 ~ 2,222원
  • 250개 ~ 2,165원
SS1060 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SS1060|^|这款肖特基二极管具备10A的额定正向电流（IF），以及60V的最大反向电压（VR），适用于多种需要高效能整流或保护电路的应用。其正向压降（VF）仅为0.7V，在大电流工作条件下能够显著
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 79원
  • 9,000개 ~ 77원
  • 15,000개 ~ 75원
CESD323NC12VU-M 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 CESD323NC12VU-M|^|这款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）专为电路保护设计，具备9.6A峰值脉冲电流（IPP）承载能力，在12V工作电压（VRWM）下确保稳定性能。其结电容（CJ）为55pF，适用于对电容敏感度较
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 24원
  • 9,000개 ~ 24원
  • 15,000개 ~ 23원
BZT52B4V7 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BZT52B4V7|^|这款稳压二极管具备精确的电压稳定功能，其标称稳压值（VR）为4.7伏特，正向电压降（VF）为0.9伏特。在待机或低电流状态下，其反向漏电流（IR）控制在3微安以下，显示了良好的电
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 10원
  • 9,000개 ~ 10원
  • 15,000개 ~ 10원
AOD210 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AOD210|^|此场效应管为N型，电流达150A，具有强大的电流承载能力。电压为30V，可在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值仅2mR，能量损耗极低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定高功率电子
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 220원
  • 7,500개 ~ 216원
  • 12,500개 ~ 210원
MSC020SDA120K 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 MSC020SDA120K|^|此款碳化硅二极管具备20A的正向电流（IF/A），可承受最高达1200V的反向电压（VR/V），适用于要求严苛的高压环境。其正向电压（VF/V）为1.5V，在保证性能的同时降低了能量损耗。二
  • MOQ : 50
  • MPQ : 50
  • PKG : ()
  • 50개 ~ 3,480원
  • 150개 ~ 3,422원
  • 250개 ~ 3,335원