MPN : AP03N70H

AP03N70H, 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有4A的最大漏极电流ID和650V的击穿电压VDSS，能够承受较高的电压波动。其导通电阻RDON为2400mΩ，在VGS=30V时表现出色，适用于需要高耐压和低功耗特性的电路

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• HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
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