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2N5551 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 2N5551|^|描述: 音频放大器 开关电路 线性驱动器 恒流源 逻辑门电路 模拟信号处理 气体放电显示驱动 PWM调制器
  • MOQ : 1,000
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 1,000개 ~ 14원
  • 3,000개 ~ 14원
  • 5,000개 ~ 14원
8205A 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 8205A|^|1.5W 12V 1.2V 5.7nC@ 10V 20V 23mΩ@ 4.5V 6A 600pF TSSOP-8
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 33원
  • 15,000개 ~ 32원
  • 25,000개 ~ 32원
SI7415DN-T1-GE3 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SI7415DN-T1-GE3|^|这款场效应管为P型，电流为20A，适用于中等功率场景。电压60V，可在特定电路环境下稳定工作。内阻典型值55mR，能量损耗相对适中。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 488원
  • 15,000개 ~ 480원
  • 25,000개 ~ 468원
HRN1104LF 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HRN1104LF|^|这款数字晶体管为NPN型，具备50V的集射极击穿电压（Vceo），能够在较高电压的电路中可靠工作。其最大集电极电流（Ic）为30mA，适合用于信号放大和开关控制等场合。无论是作为放大
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 19원
  • 9,000개 ~ 19원
  • 15,000개 ~ 18원
HESDNC12VU1CL-A 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HESDNC12VU1CL-A|^|描述: 这款SOD-523封装单向ESD静电防护二极管适用于单通道保护，具有12V高耐压VRWM，能有效阻挡过电压。峰值脉冲电流IPP高达8A，确保在遭受瞬态冲击时提供强大保护。其34pF低结电
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 15원
  • 9,000개 ~ 15원
  • 15,000개 ~ 15원
BCX56TF 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BCX56TF|^|这款NPN型三极管（BJT）具有1A的集电极电流（IC）容量和80V的集电极发射极击穿电压（VCEO），适用于多种电子设备中的信号放大和开关应用。其电流增益（HFE）范围为100到250，确保了良好
  • MOQ : 1,000
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 1,000개 ~ 369원
  • 3,000개 ~ 363원
  • 5,000개 ~ 354원
BZX84C4V3 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BZX84C4V3|^|这款稳压二极管具备稳定的电压调节能力，关键参数如下：稳压电压（VR）为4.3V，适用于需要该电压水平的电路中保持电压恒定；正向电压降（VF）为0.9V，表示在正向导通状态下的电压
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 7원
  • 9,000개 ~ 6원
  • 15,000개 ~ 6원
HSQ7415AEN 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HSQ7415AEN|^|这款20A额定电流的P沟道MOSFET，具备60V的漏源极断态电压（VDSS）和55毫欧的导通电阻（RDSON）。其最大栅源极电压（VGS）为20V，确保了良好的开关特性和低功耗。该场效应管适用于各种
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 584원
  • 15,000개 ~ 574원
  • 25,000개 ~ 560원
PC817B 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 PC817B|^|描述: 此款SMD-4封装光电耦合器，采用光电晶体管输出方式，专为实现精准的信号隔离与传输而设计。适用于DC输入环境，正向电压低至1.2V，确保高效能和低功耗运行。器件提供最大50mA的
  • MOQ : 100
  • MPQ : 100
  • PKG : ()
  • 100개 ~ 22원
  • 300개 ~ 21원
  • 500개 ~ 21원
BZT52C4V3S 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BZT52C4V3S|^|这款稳压二极管具有稳定的电压调节特性，其稳压值（VR）为4.3V，在正常工作条件下正向电压降（VF）仅为0.9V。该元件的反向漏电流（IR）非常小，仅为3微安，这表明在稳压状态下其
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 9원
  • 9,000개 ~ 9원
  • 15,000개 ~ 8원
HTP4056 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HTP4056|^|这款电池管理充电芯片专为优化充电效率与保护电池健康而设计。它支持最大1.2A充电电流，确保快速充电同时控制热能产生。充电饱和电压稳定在4.2V，适配多数锂离子电池需求，有效延
  • MOQ : 4,000
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 4,000개 ~ 36원
  • 12,000개 ~ 35원
  • 20,000개 ~ 35원
AP18P10AGH 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AP18P10AGH|^|这款P沟道MOSFET拥有20A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源极耐压（VDSS），能够适应广泛的工作条件。其导通电阻（RDON）为90mΩ，在20V栅源电压（VGS）条件下表现出色，有助于降低功耗并
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 286원
  • 7,500개 ~ 282원
  • 12,500개 ~ 275원
CPDV6-5V0U-HF 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 CPDV6-5V0U-HF|^|这款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）具备8安培的IPP，确保在面对瞬时高电流脉冲时提供可靠的保护。其击穿电压VRWM为5伏特，适用于低电压应用环境中的电路保护。电容CJ为80皮法，适
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 58원
  • 9,000개 ~ 57원
  • 15,000개 ~ 55원
SM4818PRL 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SM4818PRL|^|这款场效应管为N+N型，电流8.5A，可满足一定功率需求。电压30V，能在特定电路环境下稳定运行。内阻典型值15mR，能量损耗相对适中。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流有特定要
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 126원
  • 9,000개 ~ 124원
  • 15,000개 ~ 121원
2N7002 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 2N7002|^|描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压60V，最大连续电流为0.3A。具备低导通电阻和快速开关特性，适用于电池保护、负载切换等应用场景，是小型电子设备中实现精细功率
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 7원
  • 9,000개 ~ 6원
  • 15,000개 ~ 6원
IRF7101PBF 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRF7101PBF|^|这款场效应管为N+N型。电流为4A，可满足一定的电流需求。电压为20V，适应多种常规电压环境。内阻典型值45mR。VGS为10V。适用于各类电子产品，可在电源管理和信号处理等方面发挥作
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 227원
  • 9,000개 ~ 223원
  • 15,000개 ~ 217원
MC14017BDR2G 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 MC14017BDR2G|^|这款十进制计数器适用于3V至15V的工作电压范围，专为上升沿触发设计。它能够以高达11MHz的频率进行稳定计数，确保了高速应用中的准确性与可靠性。该计数器通过精确的时序控制
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 489원
  • 7,500개 ~ 480원
  • 12,500개 ~ 468원
HN2288 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HN2288|^|描述: 本款消费级N+N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，具备双通道驱动能力，额定电压30V，连续电流高达30A。适用于高效电源转换、负载均衡和电池管理系统等应用场合，提供卓越的集成
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 125원
  • 15,000개 ~ 123원
  • 25,000개 ~ 120원
SQ7415AEN 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SQ7415AEN|^|这款P沟道场效应管（MOSFET）具备20安培的最大持续漏极电流（ID）和60伏的漏源极击穿电压（VDSS），适用于多种高要求电路设计。其导通电阻（RDS(on)）低至55毫欧，在确保高效性能的同
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 824원
  • 15,000개 ~ 810원
  • 25,000개 ~ 790원
AM9569DA 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AM9569DA|^|这款场效应管为P型，电流为25A，可适应一定的功率输出。电压40V，能在多种常见电路环境下稳定工作。内阻典型值31mR，有助于控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可满足特定电
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 113원
  • 7,500개 ~ 112원
  • 12,500개 ~ 109원