MPN : AP18P10AGH

AP18P10AGH, 这款P沟道MOSFET拥有20A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源极耐压（VDSS），能够适应广泛的工作条件。其导通电阻（RDON）为90mΩ，在20V栅源电压（VGS）条件下表现出色，有助于降低功耗并

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• HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
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