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  • MPN : AP9926GM

    AP9926GM, 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有6安培的最大连续漏极电流（ID/A）和20伏特的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻仅为21毫欧（RDON/mR），在低电阻条件下提供了高效的电流传输能力。最

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