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  • MPN : AP3N5R0AMT

    AP3N5R0AMT, 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备150A的连续漏极电流(ID/A)和30V的最大漏源电压(VDSS/V),适合应用于要求高电流承载能力的场合。其低至3mΩ的导通电阻(RDON/mR)有效减少了电力传输

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