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HSM24CANB-02HTG 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HSM24CANB-02HTG|^|这款静电和浪涌保护器件为双向类型，设有两个通道。工作电压24V，可承载5A电流。结电容典型值为25pF。适用于多种电子产品，能双向抵御静电和浪涌干扰，确保设备稳定运行，提
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 41원
  • 9,000개 ~ 40원
  • 15,000개 ~ 39원
AO4443 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO4443|^|这款P型场效应管支持13A的连续电流和40V的最大工作电压。其典型内阻低至14毫欧，有助于减少能量损耗。适用于20VVGS阈值电压的应用环境，此元件非常适合用于信号调节、电源管理和中功
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 134원
  • 9,000개 ~ 132원
  • 15,000개 ~ 128원
HXY7N65F 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY7N65F|^|描述: 此款消费级N沟道MOSFET采用经典TO-220F封装，额定电压高达650V，连续电流可达7A，适用于高电压、大电流的电源转换与开关控制应用。为电子设备提供强大且稳定的功率管理解决方案
  • MOQ : 100
  • MPQ : 50
  • PKG : ()
  • 100개 ~ 253원
  • 300개 ~ 249원
  • 500개 ~ 242원
SIR464DP-T1-GE3 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SIR464DP-T1-GE3|^|这款N型场效应管拥有出色的性能参数：最大承受电流高达150A，额定电压为30V，内阻典型值仅为2mΩ，栅源极电压VGS为20V。适用于高性能的电力转换系统，能够确保电流的顺畅传输和
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 327원
  • 15,000개 ~ 321원
  • 25,000개 ~ 313원
1N4148W-E3-08 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 1N4148W-E3-08|^|25nA 150mA
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 20원
  • 9,000개 ~ 20원
  • 15,000개 ~ 19원
AON6413 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AON6413|^|此场效应管为P型，电流达70A，可满足较大功率场景需求。电压为30V，能在特定电路中稳定运行。内阻典型值6mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 434원
  • 15,000개 ~ 427원
  • 25,000개 ~ 416원
P6SMB540CA 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 P6SMB540CA|^|本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌影响而设计，具备0.8A的电流承载能力和459V的耐压范围。采用单通道Bi双向配置，确保系统安全稳定运行。适用于多种应用场景，有效维护设
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 77원
  • 9,000개 ~ 76원
  • 15,000개 ~ 74원
ASDM20N60KQ-R 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ASDM20N60KQ-R|^|这款N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流承载能力，最大漏源电压耐受值达到20V，导通电阻仅为6mΩ，在12V的栅源电压下能保持良好的工作状态。该MOSFET适用于要求高效率和
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 96원
  • 7,500개 ~ 95원
  • 12,500개 ~ 92원
ASDM3010S-R 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ASDM3010S-R|^|此款N+N沟道场效应管（MOSFET）具备10A的最大连续漏极电流（ID）与30V的漏源击穿电压（VDSS），适合应用于需要高效能与稳定性的电路设计中。其低至12mΩ的导通电阻（RDS(on)）有助于减
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 87원
  • 9,000개 ~ 86원
  • 15,000개 ~ 84원
78L15 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 78L15|^|描述: 这款高性能LDO线性稳压器采用SOT-89封装，可提供稳定的15V输出电压及最大0.1A电流，适用于输入电压高达35V的宽泛范围。以其卓越的负载调节能力与低噪声性能，确保为您的设备提供
  • MOQ : 1,000
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 1,000개 ~ 31원
  • 3,000개 ~ 31원
  • 5,000개 ~ 30원
AON6407 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AON6407|^|此场效应管为P型。电流高达110A，可承载极大的电流负荷。电压为30V，适应多种电压环境。内阻典型值仅3mR，低内阻优势明显。VGS为20V。适用于各类电子产品，在大功率电源管理和信号处
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 280원
  • 15,000개 ~ 275원
  • 25,000개 ~ 268원
HXY3422MI 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY3422MI|^|描述: 该消费级MOSFET采用SOT-23-3L封装，具备N沟道特性，支持高达60V的工作电压及4.5A连续电流，特别适用于高效率电源转换和电子设备开关控制。其小巧外形与卓越性能相结合
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 37원
  • 9,000개 ~ 37원
  • 15,000개 ~ 36원
CESD523HC5VB 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 CESD523HC5VB|^|这款静电和浪涌保护器件为双向类型，单通道设计。工作电压5V，可承受20A电流。结电容典型值为33pF。适用于多种电子产品，能有效双向防护静电和浪涌干扰，保障设备稳定运行，提
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 26원
  • 9,000개 ~ 26원
  • 15,000개 ~ 25원
1N914W 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 1N914W|^|这款开关二极管设计精良，适用于多种高频信号切换场合。其最大整流电流IF/A为0.15安培，反向击穿电压VR/V可达100伏特，正向电压降VF/V为1.25伏特，在微安级别的反向漏电流IR/uA仅为1，显
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 7원
  • 9,000개 ~ 6원
  • 15,000개 ~ 6원
ASDM3020S-R 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ASDM3020S-R|^|该款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，适用于多种电子电路设计。其最大漏极电流ID可达11.5A，最高漏源电压VDSS为30V，确保了在高功率应用中的稳定表现。导通电阻RDON仅为
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 112원
  • 9,000개 ~ 110원
  • 15,000개 ~ 107원
HAM2361P 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HAM2361P|^|该P沟道场效应管具备2A的连续漏极电流能力，支持高达60V的漏源电压，适用于需要稳定性能和高效率的应用场景。其导通电阻为160毫欧姆，有助于减少能量损耗并提高系统效能。此外，
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 169원
  • 9,000개 ~ 166원
  • 15,000개 ~ 162원
AO4421 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO4421|^|描述: 该消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为60V电压应用设计，提供高达6A的连续电流承载能力。器件具备低导通电阻和优良开关性能，适用于电池保护、电源切换及高效能电子设备的功
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 179원
  • 9,000개 ~ 176원
  • 15,000개 ~ 171원
ASDM3416EZA-R 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ASDM3416EZA-R|^|这款N沟道场效应管（MOSFET）具有优秀的电气性能，适用于各类精密电子设备。其最大漏极电流ID为6A，最高漏源电压VDSS达到20V，能够应对复杂电路环境下的需求。导通电阻RDON低至14m
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 45원
  • 9,000개 ~ 45원
  • 15,000개 ~ 44원
ES12D1HA03 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ES12D1HA03|^|该静电和浪涌保护器件为双向TVS二极管，具有15安培的IPP/A额定电流及12伏特的最大工作电压（VRWM/V），展现出良好的过压防护性能。其电容值为45皮法拉（pF），适用于高速数据线的保
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 35원
  • 9,000개 ~ 34원
  • 15,000개 ~ 33원
ES3D 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ES3D|^|200V 5μA 3A SMB(DO-214AA)
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 21원
  • 9,000개 ~ 21원
  • 15,000개 ~ 20원