MPN : ASDM3416EZA-R

ASDM3416EZA-R, 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有优秀的电气性能，适用于各类精密电子设备。其最大漏极电流ID为6A，最高漏源电压VDSS达到20V，能够应对复杂电路环境下的需求。导通电阻RDON低至14m

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• HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
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