이벤트 상품

검색된 상품 1,326

Image Mfr.Part# Manufacturer Description MOQ/MPQ/PKG Priceing Quantity
AO4812 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO4812|^|描述: 本款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，集成双通道技术，额定电压30V，连续电流6A。专为高效电源转换、负载均衡及电池管理系统设计，实现小型化与节能优化，是现代电子设备的理
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 80원
  • 9,000개 ~ 79원
  • 15,000개 ~ 77원
AO4805 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO4805|^|描述: 此款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V系统打造，提供双P沟道结构以实现大电流处理能力，额定电流高达11A。器件拥有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池管
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 123원
  • 9,000개 ~ 120원
  • 15,000개 ~ 117원
BCP56 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BCP56|^|描述: 该SOT-223封装的NPN型三极管，具备80V高耐压VCEO和1A集电极电流能力，放大倍数在63至250之间可调，适用于高压、大电流环境下的开关及线性放大电路设计，是各类电子设备与工业控制
  • MOQ : 1,000
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 1,000개 ~ 38원
  • 3,000개 ~ 37원
  • 5,000개 ~ 36원
2SC1623 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 2SC1623|^|描述: 该SOT-23封装NPN型三极管，具备50V高耐压VCEO和0.1A集电极电流能力，其放大倍数宽幅可调（90-600），专为中等电压、微小电流环境下的高增益放大与开关应用设计，是精密电子设备及
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 4원
  • 9,000개 ~ 4원
  • 15,000개 ~ 4원
AOD442G 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AOD442G|^|这款场效应管为N型，电流为50A，可适应一定程度的功率输出。电压60V，能在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值15mR，有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 158원
  • 7,500개 ~ 155원
  • 12,500개 ~ 151원
1SMA4772A 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 1SMA4772A|^|这款稳压二极管设计精良，其最大整流电流IF为0.0043安培，能够在电路中提供精确的电流控制。反向击穿电压VR为220伏特，确保了其在高电压条件下的稳定工作性能。正向电压VF为1.2伏特
  • MOQ : 2,000
  • MPQ : 2,000
  • PKG : ()
  • 2,000개 ~ 21원
  • 6,000개 ~ 21원
  • 10,000개 ~ 20원
HXY4953AS 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY4953AS|^|HXY4953AS 场效应管 (MOSFET)，采用 SOP-8 封装，提供 5.3A 的连续漏极电流 (ID) 和 30V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。具备 35mΩ 的导通电阻 (RDON)，有助于降低能耗，提高效率。支持 ±20V 的栅源电压
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 108원
  • 9,000개 ~ 107원
  • 15,000개 ~ 104원
SQ4946AEY-T1_GE3 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SQ4946AEY-T1_GE3|^|这款N+N型场效应管以其卓越的性能在多个领域展现出色的应用潜力。其最大承受电流高达6.5A，额定电压为60V，确保稳定运行。低内阻Typ值32mR有助于减少能量损耗。VGS为20V，易于驱
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 541원
  • 9,000개 ~ 532원
  • 15,000개 ~ 518원
824001 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 824001|^|这款静电和浪涌保护器件为单向类型，拥有四个通道。工作电压5V，可承受4A电流。结电容典型值为0.5pF，对电路影响较小。适用于多种电子产品，能有效防止静电和浪涌对设备的损害，保
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 39원
  • 9,000개 ~ 39원
  • 15,000개 ~ 38원
AR0511D3 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AR0511D3|^|这款静电和浪涌保护器件为双向类型，拥有一个通道。工作电压为5V，可承受4A电流。结电容典型值仅1pF，对电路的影响很小。适用于多种电子产品，能有效双向防护静电和浪涌，确保设
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 36원
  • 9,000개 ~ 35원
  • 15,000개 ~ 35원
SQ9945BEY-T1_GE3 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SQ9945BEY-T1_GE3|^|这款N+N型场效应管，具备6.5A的电流承载能力，最高60V的工作电压，以及32mR的典型内阻。其VGS为20V，适用于要求高电流、低功耗及高可靠性的应用场景。该元器件凭借其出色的性能
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 306원
  • 9,000개 ~ 301원
  • 15,000개 ~ 294원
DL5248B 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 DL5248B|^|这款稳压二极管专为要求高稳定性和精确性的应用场景设计。它拥有18V的反向击穿电压（VR），能够在电路中保持电压的稳定输出。正向电压（VF）为1.1V，确保了较低的导通损耗。其工作
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 10원
  • 7,500개 ~ 10원
  • 12,500개 ~ 10원
824014 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 824014|^|这款单向静电和浪涌保护器适用于四通道应用，工作电压为5V，最大电流承载能力为4A。其结电容仅为0.5pF，确保了信号的完整性，非常适合高速数据传输线路的保护。该保护器能够有效抵
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 625원
  • 9,000개 ~ 614원
  • 15,000개 ~ 599원
AO4407 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO4407|^|描述: 该消费级P沟道MOSFET采用小型化SOP-8封装，额定电压30V，支持高达12A的连续电流处理能力。专为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计，具备低导通电阻及卓越的开关性能，是
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 81원
  • 9,000개 ~ 79원
  • 15,000개 ~ 77원
AO4411 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO4411|^|这款场效应管为P型，电流为9A，可适应一定功率的电路需求。电压30V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值18mR，有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 79원
  • 9,000개 ~ 77원
  • 15,000개 ~ 76원
2SD874A 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 2SD874A|^|此款NPN型三极管是专为需要高效能和可靠性的应用设计的双极结型晶体管。它支持最大1安培的集电极电流（IC）和40伏特的集电极-发射极击穿电压（VCEO），适用于各种电路中的开关和放
  • MOQ : 1,000
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 1,000개 ~ 53원
  • 3,000개 ~ 53원
  • 5,000개 ~ 51원
P4SMA540A 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 P4SMA540A|^|本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计，具备0.54A的电流承载能力和459V的耐压范围。采用单通道Uni单向结构，确保稳定可靠的性能。适用于多种电子系统，为您的设备提
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 67원
  • 15,000개 ~ 66원
  • 25,000개 ~ 64원
CSD25402Q3A 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 CSD25402Q3A|^|这款场效应管为P型，电流为48A，可满足较大电流需求。电压20V，适用于一定的电压环境。内阻典型值7.5mR，较低内阻减少能量损耗。VGS为12V。可应用于各类消费电子产品，在电子产品
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 169원
  • 15,000개 ~ 166원
  • 25,000개 ~ 162원
AR1511D3 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AR1511D3|^|这款静电和浪涌保护器件为双向类型，拥有一个通道。工作电压为15V，可承受10A电流。结电容典型值仅1pF，对电路影响甚微。适用于多种电子产品，能有效双向防护静电和浪涌干扰，保
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 32원
  • 9,000개 ~ 32원
  • 15,000개 ~ 31원
AO4403 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO4403|^|此场效应管为P型，电流为5.8A，可满足一定功率的电路需求。电压30V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值43mR，会有一定能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 60원
  • 9,000개 ~ 59원
  • 15,000개 ~ 58원