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  • MPN : HXY4953AS

    HXY4953AS, HXY4953AS 场效应管 (MOSFET)，采用 SOP-8 封装，提供 5.3A 的连续漏极电流 (ID) 和 30V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。具备 35mΩ 的导通电阻 (RDON)，有助于降低能耗，提高效率。支持 ±20V 的栅源电压

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