MPN : ASDM20N60KQ-R

ASDM20N60KQ-R, 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流承载能力，最大漏源电压耐受值达到20V，导通电阻仅为6mΩ，在12V的栅源电压下能保持良好的工作状态。该MOSFET适用于要求高效率和

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• HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
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