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ASDM3020S-R, 该款N沟道场效应管(MOSFET)具备出色的电气特性,适用于多种电子电路设计。其最大漏极电流ID可达11.5A,最高漏源电压VDSS为30V,确保了在高功率应用中的稳定表现。导通电阻RDON仅为
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