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PESDUC3FD5VU
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 PESDUC3FD5VU|^|这款静电和浪涌保护器件为单向类型,拥有两个通道。工作电压5V,可承受3A电流。结电容典型值为0.45pF,对电路干扰极小。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损
  • MOQ : 10,000
  • MPQ : 10,000
  • PKG : ()
  • 10,000개 ~ 30원
  • 30,000개 ~ 29원
  • 50,000개 ~ 29원
AT24C02
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AT24C02|^|描述: 这款小巧的2Kbit EEPROM芯片采用SOP-8封装,专为紧凑型设计和高效数据存储打造。集成I2C接口,实现简单快速的数据读写操作,时钟频率范围400kHz至1MHz,确保高速通信能力。尤其适用
  • MOQ : 4,000
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 4,000개 ~ 32원
  • 12,000개 ~ 31원
  • 20,000개 ~ 30원
AO6800
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO6800|^|描述: 此款消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装,集成双N沟道技术,额定电压为30V,最大连续电流高达4.5A。适用于高效率电源转换和电子设备开关控制,凭借其紧凑设计与出色性能,提供理想的
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 50원
  • 9,000개 ~ 50원
  • 15,000개 ~ 48원
B240A
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 B240A|^|描述: 这款SMA封装的肖特基二极管,拥有40V的高反向耐压和2A的强大正向电流能力,其卓越的正向导通电压VF低至0.55V,确保在低功耗应用中实现高效能与快速恢复。适用于开关电源、高频
  • MOQ : 2,000
  • MPQ : 2,000
  • PKG : ()
  • 2,000개 ~ 17원
  • 6,000개 ~ 17원
  • 10,000개 ~ 16원
AON7544
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AON7544|^|描述: 此款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装,具备强大的100A连续电流处理能力,在30V额定电压下运行。专为高密度、高性能电路设计,广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 93원
  • 15,000개 ~ 92원
  • 25,000개 ~ 89원
HBAS3218X
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HBAS3218X|^|这款开关二极管具备0.25安培的正向电流(IF/A),并能承受最高250伏特的反向电压(VR/V)。其正向电压降(VF/V)为1.25伏特,反向漏电流(IR/uA)低至0.1微安。此外,它还能承受4.5安培
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 23원
  • 9,000개 ~ 22원
  • 15,000개 ~ 22원
AP6679GH-HF
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AP6679GH-HF|^|此款P沟道MOSFET拥有80安培的最大连续漏极电流与30伏特的最大漏源极断态电压。其导通电阻低至6.5毫欧,确保了在20伏特栅源极电压下的高效性能。适用于各种需要精确电流控制和高效
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 298원
  • 7,500개 ~ 293원
  • 12,500개 ~ 286원
AOT10N65
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AOT10N65|^|这款N沟道场效应管(MOSFET)具有10A的漏极电流(ID)和650V的最大漏源电压(VDSS),能够在30V的栅源电压(VGS)下稳定操作。其导通电阻(RDSON)为0.86Ω,在确保低功耗的同时,适用于多
  • MOQ : 100
  • MPQ : 50
  • PKG : ()
  • 100개 ~ 393원
  • 300개 ~ 386원
  • 500개 ~ 376원
ZXMN3B14F
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ZXMN3B14F|^|这款N型场效应管拥有5.8A的电流承载能力,能在30V的电压下稳定工作。其内阻典型值为21mΩ,确保了较低的功耗。VGS为12V,使得该器件在适当的栅源电压下导通。适用于电源管理、负载
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 155원
  • 9,000개 ~ 152원
  • 15,000개 ~ 148원
SG3D15B5.0MA
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SG3D15B5.0MA|^|这款静电和浪涌保护器件为双向类型,通道数为1。工作电压5V,可承受4A电流。结电容典型值仅1pF,对电路影响极小。适用于多种电子产品,能双向防护静电和浪涌干扰,确保设备安
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 35원
  • 9,000개 ~ 34원
  • 15,000개 ~ 33원
HPESDUC3FD5VU
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HPESDUC3FD5VU|^|这款静电和浪涌保护器件为单向类型,拥有两个通道。工作电压5V,可承受3A电流。结电容典型值为0.45pF,对电路干扰极小。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损
  • MOQ : 10,000
  • MPQ : 10,000
  • PKG : ()
  • 10,000개 ~ 28원
  • 30,000개 ~ 28원
  • 50,000개 ~ 27원
BAS321-QX
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BAS321-QX|^|这款开关二极管具备0.25A的正向平均电流(IF/A),最高可承受250V的反向电压(VR/V)。其正向电压降(VF/V)为1.25V,而在反向条件下,漏电流(IR/uA)仅为0.1微安,表现出优异的阻断性
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 13원
  • 9,000개 ~ 12원
  • 15,000개 ~ 12원
B340A
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 B340A|^|描述: 这款高性能二极管采用SMA封装,专为高效能应用设计。其额定参数包括VR=40V、IF=3A,VF仅为0.55V,确保了低损耗、高电流承载能力和卓越的稳定性,是电源转换、开关电路等的理想选
  • MOQ : 2,000
  • MPQ : 2,000
  • PKG : ()
  • 2,000개 ~ 18원
  • 6,000개 ~ 18원
  • 10,000개 ~ 18원
SMAJ14A
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SMAJ14A|^|本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备17.2A的电流承载能力和14V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保电路安全稳定。适用于多种电子系统,为您的设备提供可
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 54원
  • 15,000개 ~ 53원
  • 25,000개 ~ 52원
RT9013-30GB
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 RT9013-30GB|^|该线性稳压器(LDO)能够提供3V的稳定输出电压,适用于输入电压最高为7V的应用场景。其最大输出电流为0.5A,适用于为多种电子设备中的核心电路提供可靠供电。该LDO的静态电流为0.
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 48원
  • 9,000개 ~ 47원
  • 15,000개 ~ 46원
HAQ24CANA-02HTG
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HAQ24CANA-02HTG|^|这款静电和浪涌保护器件为双向类型,具有两个通道。工作电压24V,可承受5A电流。结电容典型值为25pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 55원
  • 9,000개 ~ 55원
  • 15,000개 ~ 53원
HBAS321QF
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HBAS321QF|^|这款开关二极管具有以下特性:正向电流(IF/A)可达0.25安培,反向电压(VR/V)最高为250伏特,正向电压降(VF/V)仅为1.25伏特,在反向电压下漏电流(IR/uA)小于0.1微安,瞬态正向浪
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 21원
  • 9,000개 ~ 20원
  • 15,000개 ~ 20원
AQ24CANA-02HTG
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AQ24CANA-02HTG|^|这款静电和浪涌保护器件为双向类型,具有两个通道。工作电压24V,可承受5A电流。结电容典型值为25pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 66원
  • 9,000개 ~ 65원
  • 15,000개 ~ 63원
HMB6SE380
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HMB6SE380|^|这款整流桥设计用于将交流电转换为直流电,具有600V的耐压能力和0.8A的额定电流。其正向电压降为1000mV,确保了在工作时较低的能量损耗与较高的效率。适用于需要稳定直流电源输出
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 25원
  • 9,000개 ~ 24원
  • 15,000개 ~ 24원
SN74HC163N
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SN74HC163N|^|这款二进制计数器/分频器支持2V至6V的工作电压范围,适应广泛的应用场景。采用上升沿触发,确保了精确的数据捕获与时序一致性。同步复位特性允许在时钟信号的控制下将计数器重
  • MOQ : 50
  • MPQ : 25
  • PKG : ()
  • 50개 ~ 267원
  • 150개 ~ 263원
  • 250개 ~ 256원