MPN : AP6679GH-HF

AP6679GH-HF, 此款P沟道MOSFET拥有80安培的最大连续漏极电流与30伏特的最大漏源极断态电压。其导通电阻低至6.5毫欧，确保了在20伏特栅源极电压下的高效性能。适用于各种需要精确电流控制和高效

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• HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
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