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  • MPN : AOT10N65

    AOT10N65, 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有10A的漏极电流（ID）和650V的最大漏源电压（VDSS），能够在30V的栅源电压（VGS）下稳定操作。其导通电阻（RDSON）为0.86Ω，在确保低功耗的同时，适用于多

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