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HT7250 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HT7250|^|描述: 该款SOT-89封装LDO线性稳压器，专为各类电子设备提供稳定的5V输出电压(Vout)及0.3A电流(Iout)，确保高效、精准的电源供应。最大支持10V输入电压(Vin(Max))，适用于嵌入式系统和小型电子
  • MOQ : 1,000
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 1,000개 ~ 84원
  • 3,000개 ~ 83원
  • 5,000개 ~ 81원
AOD21357 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AOD21357|^|此场效应管为P型，电流达80A，可承载较大电流负荷。电压为30V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值6.5mR，能减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 194원
  • 7,500개 ~ 191원
  • 12,500개 ~ 186원
HMSC015SDA120K 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HMSC015SDA120K|^|这款碳化硅二极管具有15安培的正向电流（IF），并在反向电压（VR）达到1200伏特时仍能保持稳定。其正向电压降（VF）仅为1.27伏特，在保证高效导电的同时，降低了能量损耗。反向
  • MOQ : 50
  • MPQ : 50
  • PKG : ()
  • 50개 ~ 1,945원
  • 150개 ~ 1,912원
  • 250개 ~ 1,864원
5N10 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 5N10|^|本产品是一款N型场效应管，具有5A的电流承载能力，最高100V的工作电压。其内阻典型值为100mR，栅源极电压VGS为20V。适用于多种电子设备中，实现高效能的电子控制与转换功能，确保电路
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 40원
  • 9,000개 ~ 39원
  • 15,000개 ~ 38원
P6SMB510CA 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 P6SMB510CA|^|本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计，具备0.9A的电流承载能力和434V的工作电压。采用单通道Bi双向类型，确保高效能且可靠的电路保护。适用于多种精密仪器和控制
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 66원
  • 9,000개 ~ 65원
  • 15,000개 ~ 64원
SMAJ22A 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SMAJ22A|^|本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计，具备11.3A的电流承载能力和22V的工作电压。采用单通道Uni单向结构，确保稳定可靠的性能。适用于多种电子系统，为您的设备提供
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 21원
  • 15,000개 ~ 21원
  • 25,000개 ~ 20원
HAD8552ARZ-REEL7 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HAD8552ARZ-REEL7|^|这款运算放大器为双路放大器。具有1.5MHz的增益带宽积，能在一定频率范围内保证良好的放大性能。输入偏置电流仅10pA，输入失调电压为1uV，具有较高的精度。适用于各类电子产
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 694원
  • 7,500개 ~ 682원
  • 12,500개 ~ 665원
1N4007 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 1N4007|^|1N4007 通用二极管，采用 SMA 封装，提供 1A 的正向电流 (IF) 和 1000V 的反向电压 (VR)。其正向压降 (VF) 低至 1V，有助于减少热损耗，提高系统效率。反向漏电流 (IR) 低至 5μA，确保在关断状态
  • MOQ : 2,000
  • MPQ : 2,000
  • PKG : ()
  • 2,000개 ~ 5원
  • 6,000개 ~ 5원
  • 10,000개 ~ 5원
HMSC020SDA120K 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HMSC020SDA120K|^|此款碳化硅二极管具备20A的正向电流（IF/A），可承受最高达1200V的反向电压（VR/V），适用于要求严苛的高压环境。其正向电压（VF/V）为1.5V，在保证性能的同时降低了能量损耗。二
  • MOQ : 50
  • MPQ : 50
  • PKG : ()
  • 50개 ~ 2,728원
  • 150개 ~ 2,682원
  • 250개 ~ 2,614원
RABS20M-13 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 RABS20M-13|^|此款整流桥具备1000伏特的高耐压特性，以及2安培的额定电流，适合应用于需要可靠高压整流的小型设备中。其正向压降为1000毫伏，能够在确保高效能量转换的同时，维持较低的功耗
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 75원
  • 15,000개 ~ 74원
  • 25,000개 ~ 72원
5N10 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 5N10|^|描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用精巧SOT-23封装，专为100V电压应用设计，具备5A高连续电流承载能力。凭借其卓越的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于电池保护、电源转换和各类高效
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 28원
  • 9,000개 ~ 28원
  • 15,000개 ~ 27원
HN5177 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HN5177|^|这款场效应管具备48A的电流承载能力，能在20V电压下稳定工作。其内阻典型值为7.5mΩ，VGS为12V，属于P型器件。适用于要求高电流、低内阻的应用场景，如电源管理、负载开关等，确保系
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 167원
  • 15,000개 ~ 165원
  • 25,000개 ~ 160원
79L15 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 79L15|^|这款线性稳压器（LDO）提供了一个从最高35V的输入电压到稳定15V输出电压的解决方案，适用于多种电子设备。它能够支持高达0.15A的输出电流，满足小型电路或低功耗系统的需求。该LDO的
  • MOQ : 1,000
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 1,000개 ~ 56원
  • 3,000개 ~ 55원
  • 5,000개 ~ 53원
FQD50N06 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FQD50N06|^|描述: 本款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，是一款高规格N沟道半导体器件，具有60V的工作电压和强大50A电流处理能力。专为各类电源转换、开关应用设计，以卓越的能效表现与稳定性，满
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 203원
  • 7,500개 ~ 200원
  • 12,500개 ~ 194원
MAC97A8 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 MAC97A8|^|这款单向可控硅具备稳定的门极触发电压1.5V，确保了触发过程中的可靠性；其保持电流为10mA，能够在保证器件稳定导通的同时，提供良好的电流管理；断态峰值电压为600V，使其能够在
  • MOQ : 1,000
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 1,000개 ~ 32원
  • 3,000개 ~ 31원
  • 5,000개 ~ 30원
HADM485ARZ 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HADM485ARZ|^|这款RS-485/RS-422芯片为收发器类型。驱动器和接收器数量均为1。数据速率达2.5Mbps，能快速传输数据。电源电压在4.75V至5.25V范围，稳定可靠。适用于各类电子产品的通信场景，确保数据
  • MOQ : 100
  • MPQ : 100
  • PKG : ()
  • 100개 ~ 255원
  • 300개 ~ 251원
  • 500개 ~ 244원
79L12 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 79L12|^|描述: 双极性电源系统 音频电路 数据转换器供电 通信接口 嵌入式系统电源 工业控制及仪表设备
  • MOQ : 1,000
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 1,000개 ~ 45원
  • 3,000개 ~ 45원
  • 5,000개 ~ 43원
AP3N5R0MT 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AP3N5R0MT|^|这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有强大的电气特性，最大漏极电流ID高达150A，最高漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅3mΩ，确保了在VGS=20V时的高效导通能力。它适用于需要处理大电流和追
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 166원
  • 15,000개 ~ 163원
  • 25,000개 ~ 159원
HRABS20M13 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HRABS20M13|^|此款整流桥具备1000伏特的高耐压特性，以及2安培的额定电流，适合应用于需要可靠高压整流的小型设备中。其正向压降为1000毫伏，能够在确保高效能量转换的同时，维持较低的功耗
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 64원
  • 15,000개 ~ 63원
  • 25,000개 ~ 61원
15N10 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 15N10|^|描述: 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压100V，最大连续电流15A，专为高效电源转换、电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能和低损耗功率管理方案。
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 67원
  • 7,500개 ~ 66원
  • 12,500개 ~ 64원