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AP3N5R0MT, 这款N沟道场效应管(MOSFET)拥有强大的电气特性,最大漏极电流ID高达150A,最高漏源电压VDSS为30V,导通电阻RDON仅3mΩ,确保了在VGS=20V时的高效导通能力。它适用于需要处理大电流和追
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