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AO3407 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO3407|^|1.32W 20V 2.5V 6.8nC@ 10V 2个P沟道 30V 240mΩ@ 2.8A,10V 4.2A 700pF@15V SOT-23
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 28원
  • 9,000개 ~ 28원
  • 15,000개 ~ 27원
AOD444 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AOD444|^|这款N型场效应管具备出色的性能参数：最大承受电流高达20A，额定电压为60V，内阻典型值仅为27mΩ，栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低内阻的应用场景，如电源管理、LED
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 111원
  • 7,500개 ~ 109원
  • 12,500개 ~ 106원
AQ24CANFD-02HTG 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AQ24CANFD-02HTG|^|这款静电和浪涌保护器件为双向类型，拥有两个通道。工作电压24V，可承受4A电流。结电容典型值为10pF。适用于多种电子产品，能有效双向防护静电和浪涌干扰，保障设备稳定运行
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 64원
  • 9,000개 ~ 63원
  • 15,000개 ~ 61원
2SC1815 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 2SC1815|^|描述: 该SOT-23封装NPN型三极管，具备50V高耐压VCEO及0.15A集电极电流能力，其放大倍数宽范围可调（70-700），适用于中等电压、小电流环境下的灵活增益放大应用，是各类电子设备与精密电
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 6원
  • 9,000개 ~ 6원
  • 15,000개 ~ 6원
HSMF36AT13 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HSMF36AT13|^|这款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD类别，采用单向设计，适用于单一电路线。其IPP（峰值脉冲电流）为3.4A，能够在面对突发能量冲击时提供有效防护；VRWM（反向工作电压）达到36V，
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 38원
  • 9,000개 ~ 37원
  • 15,000개 ~ 36원
HSMF30AT13 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HSMF30AT13|^|该静电和浪涌保护器件采用单向设计，适用于需要高效能瞬态电压抑制（TVS）的应用场景。其主要参数包括：IPP（峰值脉冲电流）为4.1A，表示能够承受的瞬时大电流冲击能力；VRWM（工
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 19원
  • 9,000개 ~ 19원
  • 15,000개 ~ 18원
HSG3D15B36MA 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HSG3D15B36MA|^|这款双向静电和浪涌保护器适用于单通道应用，工作电压为36V，最大电流承载能力为4.5A。其结电容为0.8pF，确保了信号的完整性。该保护器能够有效抵御电压突变和静电放电带来的损
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 32원
  • 9,000개 ~ 32원
  • 15,000개 ~ 31원
HSMF6.5AT13 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HSMF6.5AT13|^|该静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD类别，具有单向导通特性。其IPP（峰值脉冲电流）为17.9A，能有效应对瞬间高能量冲击；VRWM（工作电压范围）为6.5V，适用于低电压电路的保护。单线
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 18원
  • 9,000개 ~ 17원
  • 15,000개 ~ 17원
AP4A025M 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AP4A025M|^|此款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有出色的电气性能，最大漏极电流ID可达12A，最高漏源电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至16mΩ，在VGS为20V时表现尤为突出。该MOSFET适用于多种电路设计，
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 96원
  • 9,000개 ~ 94원
  • 15,000개 ~ 92원
HD6962 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HD6962|^|这款N型场效应管具备20A的电流承载能力，能在60V电压下稳定工作。其内阻典型值为27mΩ，VGS为20V。适用于需要高电流、低内阻的应用场景，如电源管理、负载开关等，确保系统高效稳定运
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 99원
  • 7,500개 ~ 98원
  • 12,500개 ~ 95원
AON6354 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AON6354|^|这款场效应管为N型，电流高达150A，可满足较大功率需求。电压30V，能在特定电路中稳定运行。内阻典型值仅3mR，能量损耗低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有高要求的
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 135원
  • 15,000개 ~ 132원
  • 25,000개 ~ 129원
BCP55-10,115 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BCP55-10,115|^|这款NPN型三极管（BJT）具备1A的集电极电流承载能力（IC），以及60V的最大集电极-发射极电压（VCEO），适用于多种电子装置。其电流增益（HFE）在100到250之间，适合用于需要稳定放大
  • MOQ : 1,000
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 1,000개 ~ 83원
  • 3,000개 ~ 82원
  • 5,000개 ~ 80원
ESD8351 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ESD8351|^|此双向（Bi）静电和浪涌保护器件具有20安培的IPP（峰值脉冲电流）能力及3.3伏特的VRWM（重复性雪崩电压）额定值。其极低的电容特性仅为1皮法拉（pF），非常适合用于需要最小信号干扰
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 35원
  • 9,000개 ~ 34원
  • 15,000개 ~ 33원
TLV70033DDCR 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TLV70033DDCR|^|本款线性稳压器（LDO）旨在提供一个稳定可靠的3.3V输出电压，支持高达0.3A的输出电流，满足多种电子设备的需求。其设计允许最高6.5V的输入电压，增强了对不同电源条件的适应能力
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 49원
  • 9,000개 ~ 49원
  • 15,000개 ~ 47원
1SS355TE-17 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 1SS355TE-17|^|这款开关二极管，电流0.15A，电压达100V，压降为1.25V，反向电流仅1uA，浪涌电流2A。适用于各类小型电子设备，能在电路中快速切换信号。低反向电流保证电路稳定，高浪涌电流承受能
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 18원
  • 9,000개 ~ 18원
  • 15,000개 ~ 17원
BAS16 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BAS16|^|描述: 本款开关二极管采用小型SOT-23封装，具备高达75V的反向耐压（VR），能够安全承受0.3A的最大正向电流（IF）。其优异的电气性能体现在1.25V的低正向导通电压（VF），确保了高效能和
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 6원
  • 9,000개 ~ 6원
  • 15,000개 ~ 5원
D5V0L2B3SO-7 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 D5V0L2B3SO-7|^|此款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）为电子设备提供可靠的过电压保护。其最大脉冲峰值电流IPP可达11A，能够承受瞬时高能量冲击，确保设备安全。反向工作电压VRWM设定为5V，适合在
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 25원
  • 9,000개 ~ 24원
  • 15,000개 ~ 24원
HI6309 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HI6309|^|这款场效应管采用P型设计，适用于多种应用场景。其具备6A的电流承载能力，能在30V电压下稳定工作。内阻典型值为28mΩ，VGS为20V。该元器件具有优良的性能和稳定性，可满足不同设备的
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 35원
  • 9,000개 ~ 35원
  • 15,000개 ~ 34원
H1SS355TE-17 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 H1SS355TE-17|^|这款开关二极管，电流0.15A，电压达100V，压降为1.25V，反向电流仅1uA，浪涌电流2A。适用于各类小型电子设备，能在电路中快速切换信号。低反向电流保证电路稳定，高浪涌电流承受
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 16원
  • 9,000개 ~ 16원
  • 15,000개 ~ 15원
NTD4302 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NTD4302|^|这款场效应管为N型，电流为50A，可满足较高功率需求。电压30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值7.5mR。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流控制。
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 170원
  • 7,500개 ~ 167원
  • 12,500개 ~ 163원