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  • MPN : AP4A025M

    AP4A025M, 此款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有出色的电气性能，最大漏极电流ID可达12A，最高漏源电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至16mΩ，在VGS为20V时表现尤为突出。该MOSFET适用于多种电路设计，

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