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AONR21357, 描述: 此款消费级P沟道MOSFET采用微型DFN3X3-8L封装,额定电压为30V,连续电流高达50A。专为高功率密度应用设计,适用于电源转换、负载开关及电池管理系统,提供卓越的能效比与紧凑布
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