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BAV70 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BAV70|^|描述: 这款SOT-23封装的开关二极管，具有高达70V的反向耐压和0.2A的连续正向电流能力，工作时仅产生1.25V的低正向压降。适用于各种要求高速切换、低损耗的电源转换与电子开关应用场合
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 100개 ~ 9원
  • 1,000개 ~ 9원
  • 3,000개 ~ 8원
  • 10,000개 ~ 6원
  • 30,000개 ~ 5원
  • 50,000개 ~ 5원
AONR21357 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AONR21357|^|描述: 此款消费级P沟道MOSFET采用微型DFN3X3-8L封装，额定电压为30V，连续电流高达50A。专为高功率密度应用设计，适用于电源转换、负载开关及电池管理系统，提供卓越的能效比与紧凑布
  • MOQ : 5
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 262원
  • 50개 ~ 234원
  • 150개 ~ 208원
  • 500개 ~ 156원
  • 5,000개 ~ 150원
  • 15,000개 ~ 146원
AOD403 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AOD403|^|描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，拥有30V额定电压和高达80A的强劲电流处理能力。专为高负载、高效能的低压电子设备设计，实现卓越的开关性能与能耗控制，是优化电源管理
  • MOQ : 5
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 271원
  • 50개 ~ 243원
  • 150개 ~ 215원
  • 500개 ~ 161원
  • 2,500개 ~ 155원
  • 7,500개 ~ 151원
S9015 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 S9015|^|描述: 此款SOT-23封装PNP型三极管，具有45V高耐压VCEO及0.1A集电极电流，放大倍数高达200至400，专为中等电压、微电流环境下的精密放大应用设计，是小型电子设备和高增益电路的理想半导体
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 100개 ~ 8원
  • 1,000개 ~ 7원
  • 3,000개 ~ 6원
  • 10,000개 ~ 5원
  • 30,000개 ~ 5원
  • 50,000개 ~ 4원
8205A 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 8205A|^|描述: 该消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道设计，额定电压为20V，最大连续电流高达6A。适用于高效率电源转换和负载开关应用，紧凑结构与强大性能结合，提供卓越的双通道功率
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 100개 ~ 39원
  • 1,000개 ~ 35원
  • 3,000개 ~ 31원
  • 10,000개 ~ 23원
  • 30,000개 ~ 22원
  • 50,000개 ~ 22원
AO4882 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO4882|^|描述: 这款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高效电源转换设计。额定电压40V，连续电流高达8A，适合充电器、电源控制等应用。集成双N沟道结构，提供卓越的开关性能与低导通电阻
  • MOQ : 5
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 189원
  • 50개 ~ 178원
  • 150개 ~ 160원
  • 500개 ~ 116원
  • 3,000개 ~ 111원
  • 9,000개 ~ 108원
LP2309LT1G 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 LP2309LT1G|^|描述: 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，设计耐压高达60V，额定电流为2A。具备低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源管理等领域，实现电子设备中高效且稳定的功率控制
  • MOQ : 5
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 55원
  • 50개 ~ 52원
  • 150개 ~ 46원
  • 500개 ~ 35원
  • 3,000개 ~ 33원
  • 9,000개 ~ 32원
74HC04 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 74HC04|^|描述: 此款6通道反相器采用紧凑型SOP-14封装，专为高效逻辑信号转换设计。工作电压范围宽泛（2V至6V），确保在不同系统环境下的稳定运行。每个通道均可独立进行逻辑电平的反向输出
  • MOQ : 5
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 133원
  • 50개 ~ 125원
  • 150개 ~ 112원
  • 500개 ~ 81원
  • 2,500개 ~ 78원
  • 7,500개 ~ 76원
TP4056 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TP4056|^|描述: 这款ESOP-8封装的电池管理IC，专为单节锂离子电池设计，提供安全高效的充电解决方案。最大充电电流可达1.2A，适应电源电压范围4.5V至8V，确保快速而稳定的充电过程。集成先进保
  • MOQ : 5
  • MPQ : 4,000
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 63원
  • 50개 ~ 59원
  • 150개 ~ 53원
  • 500개 ~ 40원
  • 4,000개 ~ 38원
  • 12,000개 ~ 37원
AO3401 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO3401|^|1.2W 12V 1.3V 9.4nC@ 4.5V 2个P沟道 30V 4.2A 260pF@10V SOT-23
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 100개 ~ 35원
  • 1,000개 ~ 33원
  • 3,000개 ~ 29원
  • 10,000개 ~ 22원
  • 30,000개 ~ 21원
  • 50,000개 ~ 20원
AO3401 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO3401|^|1.2W 12V 1.3V 9.4nC@ 4.5V 2个P沟道 30V 4.2A 260pF@10V SOT-23
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 100개 ~ 30원
  • 1,000개 ~ 29원
  • 3,000개 ~ 25원
  • 10,000개 ~ 19원
  • 30,000개 ~ 18원
  • 50,000개 ~ 18원
BCP53 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BCP53|^|-0.5V@ -50mA,-500mA PNP 1.5W -5V 100nA -100V 80V 1A SOT-223
  • MOQ : 5
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 65원
  • 50개 ~ 62원
  • 150개 ~ 55원
  • 500개 ~ 40원
  • 1,000개 ~ 38원
  • 3,000개 ~ 37원
BCP56 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BCP56|^|描述: 该SOT-223封装的NPN型三极管，具备80V高耐压VCEO和1A集电极电流能力，放大倍数在63至250之间可调，适用于高压、大电流环境下的开关及线性放大电路设计，是各类电子设备与工业控制
  • MOQ : 5
  • MPQ : 1,000
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 63원
  • 50개 ~ 60원
  • 150개 ~ 54원
  • 500개 ~ 39원
  • 1,000개 ~ 37원
  • 3,000개 ~ 36원
FDS4435BZ 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDS4435BZ|^|描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，最大连续电流高达9A。适用于电池管理系统、电源切换及高功率应用场合，具备卓越的开关性能和低导通电阻，确保高效能与稳
  • MOQ : 5
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 156원
  • 50개 ~ 133원
  • 100개 ~ 117원
  • 500개 ~ 108원
  • 1,000개 ~ 100원
  • 2,000개 ~ 96원
AO3422 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO3422|^|描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，额定电压高达60V，最大连续电流为4.5A，适用于各种电源转换和电子设备开关控制应用。其卓越的性能表现及小巧体积，有效提升系统
  • MOQ : 5
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 68원
  • 50개 ~ 64원
  • 150개 ~ 57원
  • 500개 ~ 43원
  • 3,000개 ~ 41원
  • 9,000개 ~ 40원
AO4822 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO4822|^|描述: 本款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，集成双通道设计，额定电压30V，连续电流高达8.5A。专为高效电源转换、负载平衡及电池管理系统应用，提供紧凑、高能效的半导体解决方案，
  • MOQ : 5
  • MPQ : 1,500
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 132원
  • 50개 ~ 118원
  • 150개 ~ 105원
  • 500개 ~ 79원
  • 1,500개 ~ 76원
  • 4,500개 ~ 73원
HXY30G20DF 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY30G20DF|^|描述: 本款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，集成双通道，额定电压30V，连续电流16A。专为小型化、高效率电源转换与负载控制设计，适用于电池管理系统等应用场景，提供出色的能
  • MOQ : 5
  • MPQ : 2,000
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 181원
  • 50개 ~ 170원
  • 150개 ~ 152원
  • 500개 ~ 114원
  • 2,000개 ~ 110원
  • 6,000개 ~ 106원
AO4842 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO4842|^|20V 572pF SOP-8
  • MOQ : 5
  • MPQ : 1,500
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 100원
  • 50개 ~ 94원
  • 150개 ~ 84원
  • 500개 ~ 61원
  • 1,500개 ~ 59원
  • 4,500개 ~ 57원
AON7544 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AON7544|^|描述: 此款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具备强大的100A连续电流处理能力，在30V额定电压下运行。专为高密度、高性能电路设计，广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池
  • MOQ : 10
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 10개 ~ 145원
  • 50개 ~ 121원
  • 150개 ~ 103원
  • 500개 ~ 100원
  • 1,000개 ~ 96원
  • 2,000개 ~ 91원
PESD3V3L1BA 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 PESD3V3L1BA|^|描述: 此款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管专为3.3V系统设计，提供单通道强大保护。具备38A峰值脉冲电流IPP能力，有效抵御双向瞬态ESD冲击，确保电路不受损坏。尽管结电容为50pF
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 100개 ~ 30원
  • 1,000개 ~ 29원
  • 3,000개 ~ 26원
  • 10,000개 ~ 19원
  • 30,000개 ~ 18원
  • 50,000개 ~ 17원