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BC848B 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BC848B|^|描述: 本款SOT-23封装NPN型三极管，具有30V耐压VCEO及0.1A集电极电流，其放大倍数高达200至450，专为低电压、微电流环境下的高增益放大应用设计，是精密电子设备与小型化电路的理想半导
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
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  • 100개 ~ 8원
  • 1,000개 ~ 7원
  • 3,000개 ~ 6원
  • 10,000개 ~ 5원
  • 30,000개 ~ 4원
  • 50,000개 ~ 4원
B5819W 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 B5819W|^|描述: 此款SOD-123封装肖特基二极管，额定反向电压40V，连续正向电流高达1A。该器件具备低正向压降及高速开关特性，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电池保护电路中，有效提升系统
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
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  • 100개 ~ 13원
  • 1,000개 ~ 13원
  • 3,000개 ~ 11원
  • 10,000개 ~ 8원
  • 30,000개 ~ 8원
  • 50,000개 ~ 8원
BAV99 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BAV99|^|描述: 我们提供的SOT-23封装开关二极管，专为高效能电路设计。它具有高达70V的反向击穿电压（VR）和0.2A的最大正向电流（IF），在正向导通时提供低至1.25V的正向压降（VF）。这款小型、
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  • 100개 ~ 8원
  • 1,000개 ~ 8원
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  • 10,000개 ~ 5원
  • 30,000개 ~ 5원
  • 50,000개 ~ 5원
S9013 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 S9013|^|600mV@ 500mA,50mA NPN 100nA 500mA SOT-23
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
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  • 100개 ~ 8원
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  • 3,000개 ~ 6원
  • 10,000개 ~ 5원
  • 30,000개 ~ 5원
  • 50,000개 ~ 4원
S9014 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 S9014|^|描述: 该款SOT-23封装NPN型三极管，具有45V高击穿电压VCEO及0.1A集电极电流承载力，放大倍数范围宽广（200-400），特别适用于要求高增益、低功耗的电子电路中，提供精密信号放大功能。
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
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  • 100개 ~ 7원
  • 1,000개 ~ 6원
  • 3,000개 ~ 6원
  • 10,000개 ~ 4원
  • 30,000개 ~ 4원
  • 50,000개 ~ 4원
BC807-40 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BC807-40|^|描述: 此款SOT-23封装PNP型三极管，具有45V高耐压VCEO和0.5A集电极电流，提供高达250至600的放大倍数，适用于中高压、中等电流环境下的高效放大应用，是精密电子设备与电路设计的理想选
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
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  • 100개 ~ 14원
  • 1,000개 ~ 13원
  • 3,000개 ~ 12원
  • 10,000개 ~ 8원
  • 30,000개 ~ 8원
  • 50,000개 ~ 8원
BAS16 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BAS16|^|描述: 本款开关二极管采用小型SOT-23封装，具备高达75V的反向耐压（VR），能够安全承受0.3A的最大正向电流（IF）。其优异的电气性能体现在1.25V的低正向导通电压（VF），确保了高效能和
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
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  • 100개 ~ 12원
  • 1,000개 ~ 11원
  • 3,000개 ~ 10원
  • 10,000개 ~ 7원
  • 30,000개 ~ 7원
  • 50,000개 ~ 7원
SI2309 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SI2309|^|描述: 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为60V电压应用设计，提供高达2A的连续电流处理能力。具有低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换等场景，实现高效、稳定的
  • MOQ : 5
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 93원
  • 50개 ~ 88원
  • 150개 ~ 78원
  • 500개 ~ 59원
  • 3,000개 ~ 56원
  • 9,000개 ~ 55원
BAS21S 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BAS21S|^|描述: 该款开关二极管采用SOT-23封装，拥有高达250V的反向耐压和0.4A正向电流能力，具有出色的1.25V正向导通电压。适用于各类要求高效率、高速切换的电源转换、电子开关电路，以其卓越
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
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  • 100개 ~ 23원
  • 1,000개 ~ 21원
  • 3,000개 ~ 19원
  • 10,000개 ~ 14원
  • 30,000개 ~ 13원
  • 50,000개 ~ 13원
BAV199 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BAV199|^|描述: 这款高性能开关二极管采用SOT-23封装，具备70V的高反向耐压（VR）及高达0.5A的连续正向电流处理能力（IF），在正常工作状态下具有优越的1.25V正向导通压降（VF）。紧凑型设计特别
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
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  • 100개 ~ 14원
  • 1,000개 ~ 13원
  • 3,000개 ~ 12원
  • 10,000개 ~ 9원
  • 30,000개 ~ 8원
  • 50,000개 ~ 8원
BC846B 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BC846B|^|描述: 此款NPN型三极管采用紧凑型SOT-23封装，适用于空间受限的电路设计。器件拥有65V的高集电极发射极击穿电压（VCEO）和0.1A的连续集电极电流（IC），放大倍数在200至450之间，提供强大
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 100개 ~ 10원
  • 1,000개 ~ 9원
  • 3,000개 ~ 8원
  • 10,000개 ~ 6원
  • 30,000개 ~ 6원
  • 50,000개 ~ 6원
AOD4132 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AOD4132|^|描述: 该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，最大连续电流100A，适用于高功率电源转换、电机驱动等应用，提供低阻抗、高效能的开关控制功能，满足大电流系统需求。
  • MOQ : 5
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 226원
  • 50개 ~ 212원
  • 150개 ~ 189원
  • 500개 ~ 142원
  • 2,500개 ~ 137원
  • 7,500개 ~ 133원
HXY30N10D 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY30N10D|^|描述: 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有100V高耐压及30A大电流处理能力，专为高效能电源转换、电机驱动等应用设计，提供低损耗、快速响应的开关控制功能，满足高功率电
  • MOQ : 5
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 289원
  • 50개 ~ 272원
  • 150개 ~ 243원
  • 500개 ~ 182원
  • 2,500개 ~ 175원
  • 7,500개 ~ 170원
BAW56 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BAW56|^|描述: 本款开关二极管采用SOT-23封装，具有70V的高反向耐压和0.2A正向电流承载力，其正向导通电压低至1.25V。适用于高速开关应用，如电源转换、负载切换等场合，以其小型化设计及卓越
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 100개 ~ 10원
  • 1,000개 ~ 10원
  • 3,000개 ~ 9원
  • 10,000개 ~ 6원
  • 30,000개 ~ 6원
  • 50,000개 ~ 6원
8205A 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 8205A|^|1.5W 12V 1.2V 5.7nC@ 10V 20V 23mΩ@ 4.5V 6A 600pF TSSOP-8
  • MOQ : 5
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 53원
  • 50개 ~ 48원
  • 150개 ~ 42원
  • 500개 ~ 32원
  • 3,000개 ~ 30원
  • 9,000개 ~ 30원
PC817B 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 PC817B|^|1.2V 18μs 光电三极管 50mA 18μs SMD-4
  • MOQ : 5
  • MPQ : 2,000
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 50원
  • 50개 ~ 45원
  • 150개 ~ 40원
  • 500개 ~ 30원
  • 2,000개 ~ 29원
  • 6,000개 ~ 28원
AOD4185 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AOD4185|^|描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压40V，具有强大40A电流处理能力。专为中低压、大电流应用场景设计，适用于各类消费电子产品，实现卓越的电源转换效率和系统稳
  • MOQ : 5
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 251원
  • 50개 ~ 225원
  • 150개 ~ 199원
  • 500개 ~ 149원
  • 2,500개 ~ 144원
  • 7,500개 ~ 140원
AO3402 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO3402|^|描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压30V，连续电流高达5A。具备卓越的低导通电阻和快速开关特性，专为充电器、电源转换及各类高效电子应用设计，实现稳定可靠的功率
  • MOQ : 100
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 100개 ~ 26원
  • 1,000개 ~ 24원
  • 3,000개 ~ 22원
  • 10,000개 ~ 16원
  • 30,000개 ~ 16원
  • 50,000개 ~ 15원
AO6800 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO6800|^|描述: 此款消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道技术，额定电压为30V，最大连续电流高达4.5A。适用于高效率电源转换和电子设备开关控制，凭借其紧凑设计与出色性能，提供理想的
  • MOQ : 5
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 85원
  • 50개 ~ 80원
  • 150개 ~ 71원
  • 500개 ~ 52원
  • 3,000개 ~ 50원
  • 9,000개 ~ 48원
AO6800 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO6800|^|描述: 此款消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道技术，额定电压为30V，最大连续电流高达4.5A。适用于高效率电源转换和电子设备开关控制，凭借其紧凑设计与出色性能，提供理想的
  • MOQ : 5
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 5개 ~ 85원
  • 50개 ~ 80원
  • 150개 ~ 71원
  • 500개 ~ 52원
  • 3,000개 ~ 50원
  • 9,000개 ~ 48원