이벤트 상품

검색된 상품 1,326

Image Mfr.Part# Manufacturer Description MOQ/MPQ/PKG Priceing Quantity
HRT9013-33GB 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HRT9013-33GB|^|这款线性稳压器（LDO）提供了一个稳定的3.3V输出电压，能够在输入电压高达7V的情况下正常工作，确保了电源解决方案的灵活性与可靠性。该LDO的最大输出电流为0.5A，适用于需要中
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 46원
  • 9,000개 ~ 45원
  • 15,000개 ~ 44원
2N7002 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 2N7002|^|描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压60V，最大连续电流为0.3A。具备低导通电阻和快速开关特性，适用于电池保护、负载切换等应用场景，是小型电子设备中实现精细功率
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 7원
  • 9,000개 ~ 6원
  • 15,000개 ~ 6원
HRT9013-30GB 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HRT9013-30GB|^|该线性稳压器（LDO）能够提供3V的稳定输出电压，适用于输入电压最高为7V的应用场景。其最大输出电流为0.5A，适用于为多种电子设备中的核心电路提供可靠供电。该LDO的静态电流为0
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 48원
  • 9,000개 ~ 47원
  • 15,000개 ~ 46원
AON7506 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AON7506|^|描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具有出色的散热性能与高功率密度。额定电压为30V，连续电流高达50A，适用于空间有限的电源转换、负载开关控制以及电池管理系统
  • MOQ : 5,000
  • MPQ : 5,000
  • PKG : ()
  • 5,000개 ~ 81원
  • 15,000개 ~ 80원
  • 25,000개 ~ 78원
RT9161-36GV 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 RT9161-36GV|^|这款线性稳压器（LDO）提供了一个稳定的输出电压3.6V，在输入电压最高可达16V的情况下，能够确保输出电流高达0.3安培。该LDO具有低静态电流特性，其典型值仅为0.008毫安，这使得它
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 100원
  • 9,000개 ~ 98원
  • 15,000개 ~ 96원
AP2323GN-HF 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AP2323GN-HF|^|此款P沟道MOSFET拥有5A的连续漏极电流(ID)、20V的最大漏源电压(VDSS)以及30mΩ的导通电阻(RDON)，支持的栅源电压范围为±10V(VGS)。这些参数表明，该元件特别适合用于低电压、低功耗的应用
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 172원
  • 9,000개 ~ 169원
  • 15,000개 ~ 164원
RT9161-30GV 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 RT9161-30GV|^|这款线性稳压器（LDO）可提供稳定的3V输出电压，能够在输入电压最高达到16V的情况下工作。其最大输出电流为0.3A，适合为多种便携式电子设备供电。该LDO拥有低至0.008mA的静态电流，
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 92원
  • 9,000개 ~ 90원
  • 15,000개 ~ 88원
1SMB5917B 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 1SMB5917B|^|这款稳压二极管设计用于精密电压调节与保护电路。其主要参数包括：正向电流IF为0.319A，反向工作电压VR为4.7V，正向电压降VF为1.2V，反向漏电流IR仅为6μA，最大功耗PD可达0.55W。这些特
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 39원
  • 9,000개 ~ 38원
  • 15,000개 ~ 37원
BZX84C24 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BZX84C24|^|这款稳压二极管设计用于精密电压稳定应用，其标称稳定电压（VR/V）为24V，正向电压降（VF/V）仅为0.9V，确保了高效能。该元件具有微小的反向电流（IR/uA）0.05uA，在确保低功耗的同时
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 11원
  • 9,000개 ~ 11원
  • 15,000개 ~ 10원
JEB05BCD5 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 JEB05BCD5|^|这款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）具有2.5A的IPP参数，表明它能承受的最大脉冲峰值电流为2.5安培，适用于需要精细保护的应用。其工作反向关断电压VRWM设定在5伏特，确保在常规操作
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 23원
  • 9,000개 ~ 22원
  • 15,000개 ~ 22원
HD7260 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HD7260|^|这款N型场效应管具备50A的电流承载能力和100V的电压耐受性，内阻典型值为18mΩ，适用于高效能电源管理。其VGS为20V，确保稳定的开关控制。适用于多种高性能电子设备，提升电源转换效
  • MOQ : 2,500
  • MPQ : 2,500
  • PKG : ()
  • 2,500개 ~ 200원
  • 7,500개 ~ 197원
  • 12,500개 ~ 192원
HSI1553CDLT1GE3 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HSI1553CDLT1GE3|^|这款场效应管（MOSFET）涵盖N沟道与P沟道类型，能够提供高达0.8A的连续排水电流（ID），并在最大20V的漏源电压（VDSS）下稳定运行。其导通电阻（RDSON）仅为320毫欧，在导通状态下
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 171원
  • 9,000개 ~ 168원
  • 15,000개 ~ 164원
P6SMB350CA 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 P6SMB350CA|^|300V 双向 600W 1.3A 482V 332V
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 68원
  • 9,000개 ~ 67원
  • 15,000개 ~ 65원
HAQ24CANFD-02HTG 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HAQ24CANFD-02HTG|^|这款静电和浪涌保护器件为双向类型，拥有两个通道。工作电压24V，可承受4A电流。结电容典型值为10pF。适用于多种电子产品，能有效双向防护静电和浪涌干扰，保障设备稳定运
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 60원
  • 9,000개 ~ 59원
  • 15,000개 ~ 57원
BAS321/8X 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BAS321/8X|^|这款开关二极管具备0.25安培的正向电流（IF/A），并能承受最高250伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.25伏特，反向漏电流（IR/uA）低至0.1微安。此外，它还能承受4.5安培
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 26원
  • 9,000개 ~ 25원
  • 15,000개 ~ 25원
HSMF16AT13 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HSMF16AT13|^|此款静电和浪涌保护元件（TVS/ESD）专为精密电子设备提供高效防护。其峰值脉冲功率IPP/A为7.7A，确保在遭遇瞬间过电压时能够迅速响应，有效保护电路免受损害。额定工作电压VRWM/V为1
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 17원
  • 9,000개 ~ 17원
  • 15,000개 ~ 17원
AO3402 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO3402|^|描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压30V，连续电流高达5A。具备卓越的低导通电阻和快速开关特性，专为充电器、电源转换及各类高效电子应用设计，实现稳定可靠的功率
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 16원
  • 9,000개 ~ 15원
  • 15,000개 ~ 15원
P6SMB350CA 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 P6SMB350CA|^|300V 双向 600W 1.3A 482V 332V
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 68원
  • 9,000개 ~ 67원
  • 15,000개 ~ 65원
1N4007 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 1N4007|^|这款通用二极管提供1A的最大整流电流IF，支持高达1000V的反向电压VR，适用于需要高电压隔离的应用。其正向电压降VF为1.1V，有助于减少在正向导通状态下的功率损耗。在反向偏置条件下
  • MOQ : 10,000
  • MPQ : 10,000
  • PKG : ()
  • 10,000개 ~ 5원
  • 30,000개 ~ 5원
  • 50,000개 ~ 5원
HSMF28AT13 		HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HSMF28AT13|^|这款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD类别，采用单向设计，适用于单线路应用。其IPP（峰值脉冲电流）为4.4A，能够有效抵御瞬态高能冲击；VRWM（反向工作电压）为28V，适合中等电压范
  • MOQ : 3,000
  • MPQ : 3,000
  • PKG : ()
  • 3,000개 ~ 17원
  • 9,000개 ~ 17원
  • 15,000개 ~ 17원